[发明专利]用于扫描探针显微镜的微型悬臂梁探针及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202010306044.2 申请日: 2013-08-27
公开(公告)号: CN111413520A 公开(公告)日: 2020-07-14
发明(设计)人: 王卫杰;苏全民 申请(专利权)人: 布鲁克纳米公司
主分类号: G01Q60/38 分类号: G01Q60/38;G01Q70/08;G01Q70/14;G01Q70/10;G01Q70/16
代理公司: 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 代理人: 杨帆
地址: 美国加利福尼亚州*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 用于 扫描 探针 显微镜 微型 悬臂梁 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种构造用于扫描探针显微镜(SPM)悬臂制造的多层结构的方法,其特征在于,所述方法包含:

提供由块状半导体硅材料形成的第一基板(502、502'、602、602')和第二基板(510、510'、610、610');

提供位于所述第一基板(502、502'、602、602')上的第一分离层(504、504'、504b、604、605b、614、615)和位于所述第二基板(510、510'、610、610')上的第二分离层(508、508a、508'、608),其中所述第一分离层(504、504b、604、605b、614、615)相对于所述第一基板(502、502'、602、602')有区别地可蚀刻,并且所述第二分离层(508、508a、508'、608)相对于所述第二基板(510、510'、610、610')以至少100的蚀刻速率比有区别地可蚀刻,以使所述第二分离层(508、508a、508'、608)在所述第二基板(510、510'、610、610')的蚀刻期间用作蚀刻停止层;

提供由硅或氮化硅形成的内层(506、506a、606),使所述内层(506、506a、606)位于所述第一分离层(504、504'、504b、604、605b、614、615)和所述第二分离层(508、508a、508'、608)之间,其中所述内层(506、506a、606)相对于所述第一分离层和所述第二分离层(508、508a、508'、608)中的每一个都有区别地可蚀刻;组装多层结构,包括将所述内层(506、506a、606)置于所述第一分离层(504、504'、504b、604、605b、614、615)和所述第二分离层(508、508a、508'、608)之间,以使所述内层(506、506a、606)分别通过所述第一分离层(504、504'、504b、604、605b、614、615)和所述第二分离层(508、508a、508'、608)与所述第一基板(502、502'、602、602')和所述第二基板(510、510'、610、610')分开,

其中所述内层(506、506a、606)成为具有近端(404a)、远端(404b)、颈部(412)和肩部(410)的悬臂(404),悬臂由硅或氮化硅形成,其中所述肩部(410)位于所述内层(506、506a、606)的所述近端(404a)并且沿远侧方向突出超过所述第二基板(510、510'、610、610')的边缘,并且其中所述颈部(412)的宽度尺寸明显小于所述肩部(410),所述第一基板(502、502'、602、602')成为由块状半导体硅材料通过蚀刻形成并且位于所述远端(404b)的针尖(406、922),以及所述第二基板(510、510'、610、610')成为由块状半导体硅材料通过蚀刻形成并且位于所述近端(404a)的手柄(402),

其中所述针尖(406、922)完全位于所述悬臂(404)的部分(404c)上,并且其中所述部分(404c)完全位于所述近端(404a)和所述远端(404b)之间。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,其中提供所述内层(506、506a、606)包括在所述第一分离层(504、504'、504b、604、605b、614、615)或所述第二分离层(508、508a、508'、608)中的至少一个上沉积氮化硅薄膜。

3.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,其中所述多层结构的组装包括执行晶片级操作,并且其中所述多层结构是晶片级结构。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,还包括:

在组装所述多层结构之前,形成位于所述第一基板(502、502'、602、602')和所述内层(506、506a、606)之间的一组导电垫,每个所述导电垫被布置成在将由所述第一基板(502、502'、602、602')形成的相应探针针尖(922)和将由所述内层(506、506a、606)形成的相应悬臂(506、506a、606)之间提供电连接。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于布鲁克纳米公司,未经布鲁克纳米公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010306044.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top