[发明专利]激光退火载台在审
| 申请号： | 202010305145.8 | 申请日： | 2020-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN113539878A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 贾礼宾;刘佑铭 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 激光 退火 | ||
1.一种激光退火载台，其特征在于，包括：
承载平台，其具有相对设置的上表面和下表面，所述上表面用于接触并承载激光退火对象；
冷却装置，其设置于所述承载平台的下表面一侧，并通过对所述承载平台的下表面喷布气体冷却介质降低所述承载平台和所述激光退火对象在激光退火过程中的温度。
2.根据权利要求1所述的激光退火载台，其特征在于，所述冷却装置包括：
密封隔离结构，其位于所述承载平台下方，并与所述承载平台共同形成密封腔室；所述密封腔室的顶部内侧面至少包括所述承载平台的下表面；
气体供给装置，其连接所述密封腔室，用于向所述密封腔室供给所述气体冷却介质；
抽真空装置，其连接所述密封腔室，用于从所述密封腔室抽走所述气体冷却介质。
3.根据权利要求2所述的激光退火载台，其特征在于，所述冷却装置还包括：
引流分布结构，其位于所述密封腔室中，用于将所述气体供给装置供给的所述气体冷却介质引流分布至所述承载平台的下表面。
4.根据权利要求3所述的激光退火载台，其特征在于，所述引流分布结构包括分隔所述承载平台和所述气体供给装置的隔板以及位于所述隔板中的引流分布通孔。
5.根据权利要求2所述的激光退火载台，其特征在于，所述气体供给装置包括用于调节所述气体冷却介质温度的温度调节单元。
6.根据权利要求1所述的激光退火载台，其特征在于，所述气体冷却介质包括氮气。
7.根据权利要求1所述的激光退火载台，其特征在于，所述承载平台具有连通所述上表面和所述下表面的平台通孔。
8.根据权利要求7所述的激光退火载台，其特征在于，所述承载平台还具有定位并固定所述激光退火对象的定位固定结构。
9.根据权利要求7所述的激光退火载台，其特征在于，所述激光退火对象包括减薄晶圆，所述减薄晶圆通过粘合层固定于载体衬底上，所述载体衬底具有连通接触所述粘合层的表面与远离所述粘合层的表面的衬底通孔；所述载体衬底承载于所述承载平台时，所述平台通孔的位置与所述衬底通孔的位置一一对应。
10.一种激光退火装置，其特征在于，包括权利要求1至9中任一项所述的激光退火载台。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于芯恩（青岛）集成电路有限公司，未经芯恩（青岛）集成电路有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010305145.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
