[发明专利]半导体衬底清洗方法及调整方法在审
| 申请号： | 202010300333.1 | 申请日： | 2020-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN111370298A | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 范世炜;姚雷;国子明;张凌越 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 清洗 方法 调整 | ||
1.一种半导体衬底清洗方法，其特征在于，所述半导体衬底清洗方法包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底包括污染区和识别缺口，且所述识别缺口与所述污染区之间存在间隔；
获取所述识别缺口与所述污染区之间的间隔角度；
将所述半导体衬底竖直放置于一清洗槽内，并通过所述间隔角度定义所述识别缺口在所述清洗槽内的位置，以使所述污染区位于所述清洗槽内的十一点钟至一点钟方向；
执行清洗工艺，以去除所述污染区的污染物。
2.如权利要求1所述的半导体衬底清洗方法，其特征在于，所述间隔角度介于0度至180度之间。
3.如权利要求1所述的半导体衬底清洗方法，其特征在于，所述清洗槽包括第一容器和第二容器，所述第二容器位于所述第一容器内，且所述半导体衬底竖直放置于所述第二容器内。
4.如权利要求3所述的半导体衬底清洗方法，其特征在于，所述清洗槽设有进液口和出液口，所述进液口位于所述第二容器的底部，所述出液口位于所述第一容器的底部。
5.如权利要求4所述的半导体衬底清洗方法，其特征在于，执行清洗工艺时，清洗液能够经所述进液口进入所述第二容器，流经所述半导体衬底的污染区后通过所述第二容器的顶部流入所述第一容器，并通过所述出液口排出。
6.如权利要求5所述的半导体衬底清洗方法，其特征在于，所述清洗液为酸性溶液。
7.如权利要求1所述的半导体衬底清洗方法，其特征在于，在执行清洗工艺，以去除所述污染区的污染物后，所述半导体衬底清洗方法还包括将去除的所述污染物排出所述清洗槽。
8.一种半导体衬底调整方法，其特征在于，所述半导体衬底调整方法包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底包括一识别缺口；
对所述半导体衬底执行第一道工艺；
获取所述半导体衬底将要执行的第二道工艺；
判断所述半导体衬底将要执行的第二道工艺是否为清洗工艺，若是，则使得所述半导体衬底的识别缺口位于八点钟至十点钟方向。
9.如权利要求8所述的半导体衬底调整方法，其特征在于，判断所述半导体衬底的第二道工艺是否为清洗工艺，若否，则保持所述半导体衬底的位置不变。
10.如权利要求8所述的半导体衬底调整方法，其特征在于，所述第一道工艺为离子注入工艺。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
