[发明专利]OLED显示面板及终端设备在审
| 申请号: | 202010297202.2 | 申请日: | 2020-04-15 |
| 公开(公告)号: | CN113540158A | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
| 发明(设计)人: | 陈栋;黄聪;刘子英;贺虎;庞永强 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 郭雨桐 |
| 地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | oled 显示 面板 终端设备 | ||
本申请提供了一种OLED显示面板及终端设备,OLED显示面板包括依次层叠设置的基板层、电极层、像素定义层及彩膜基板;电极层包括多个设于基板层的阳极,多个阳极间隔设置且均不透光;像素定义层包括多个电致发光器件,一阳极分别对应一电致发光器件,以控制其发光;彩膜基板包括遮光矩阵及多个第一像素色阻块,遮光矩阵开设有透光孔及多个填充孔,各填充孔分别对应一电致发光器件并均填充有第一像素色阻块,透光孔朝向基板层的投影的至少部分区域避让阳极在基板层的正投影。光线得以通过该透光孔射向基板层,并从阳极之间的透光区域射出,透光孔的设置提高了OLED显示面板的透过率,使得屏下光学指纹等光学技术能够与POL‑less技术结合使用。
技术领域
本申请属于显示技术领域,尤其涉及一种OLED显示面板及终端设备。
背景技术
传统有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)一般依序包括层叠的阵列基板(Array substrate)、电致发光器件(Electroluminescence,EL)、薄膜封装层(Thin-Film Encapsulation,TFE)及偏光片(Polarizer,POL),POL能够优先降低强光下面板的反射率,却会损失大量的出光,这对OLED显示面板来说,极大增加了其寿命负担,另一方面,偏光片厚度较大,材质脆,不利于动态弯折产品的开发。
为了开发基于OLED显示技术的动态弯折产品,有必要导入新材料、新技术以及新工艺替代偏光片。现已有相关技术使用彩膜(Color Filter,CF)替代偏光片(POL)应用于OLED显示面板,该OLED显示面板依序包括层叠的阵列基板(Array substrate)、电致发光器件(EL)、薄膜封装层(TFE)及彩膜(CF)。这种使用CF替代POL的技术被归属为去偏光片(POL-less)技术,POL-less技术不仅能将OLED显示面板的整体厚度明显降低,例如从100μm降低至小于5μm;而且能够明显提升出光率,例如从42%提高至60%。基于CF的POL-less技术被认为是实现动态弯折产品开发的关键技术之一。
屏下光学指纹技术作为当前主流的指纹技术之一,已被业界广泛采用。对于传统设置POL的OLED显示面板,该技术基本符合屏下光学指纹技术的需求。然而使用CF代替POL的OLED显示面板的透过率几乎为零,位于OLED显示面板下方的光学指纹识别传感器无法透过该OLED显示面板接收到从指纹反射回的光,导致屏下指纹技术无法与POL-less技术结合使用。
发明内容
本申请的目的在于提供一种OLED显示面板及终端设备,旨在解决现有OLED显示面板采用彩膜基板代替偏光片后屏下指纹技术无法使用的技术问题。
第一方面,本申请实施例提供一种OLED显示面板,包括依次层叠设置的基板层、电极层、像素定义层以及彩膜基板;其中,
所述电极层包括多个不透光的阳极,多个所述阳极间隔设置;
所述像素定义层包括多个电致发光器件,多个所述电致发光器件间隔设置并分别对应一所述阳极;
所述彩膜基板包括遮光矩阵及多个第一像素色阻块,所述遮光矩阵开设有透光孔及多个填充孔,多个所述填充孔间隔设置并分别对应一所述电致发光器件,一所述第一像素色阻块填充于一所述填充孔,所述透光孔在所述基板层的正投影的至少部分区域避让所述阳极在所述基板层的正投影。
通过采用上述方案,光线得以通过该透光孔射向基板层,并从阳极之间的透光区域射出,这样位于OLED显示面板下方的感应器件便得以感应到光线,从而实现屏下光学指纹识别,透光孔的设置提高了OLED显示面板的透过率,使得屏下光学指纹技术能够与POL-less技术结合使用。
在第一方面的其中一个实施例中,所述透光孔设有多个,多个所述透光孔的面积总和小于所述遮光矩阵总面积的50%。
通过采用上述方案,在提高透过率的同时能够使得OLED显示面板的反射率保持在合理范围内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





