[发明专利]一种传感器封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种传感器封装结构的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)提供一半导体衬底，所述半导体衬底包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述半导体衬底包括多个分立的感光结构以及位于相邻感光结构之间的隔离结构，所述半导体衬底的所述第一表面露出所述感光结构；

(2)接着从所述半导体衬底的所述第二表面对所述半导体衬底进行减薄处理；

(3)接着在所述半导体衬底的所述第二表面上形成减反射层；

(4)接着在所述半导体衬底的所述第二表面上形成光刻胶层，接着在所述光刻胶层上形成多个间隔设置的环形凹槽；接着在所述环形凹槽中形成栅格结构；

(5)接着去除相邻栅格结构之间的光刻胶层，以在相邻栅格结构之间形成间隙，接着在所述间隙中形成第一弹性缓冲层，所述第一弹性缓冲层的颜色为黑色；

(6)接着去除所述栅格结构中的光刻胶层，以在所述栅格结构中形成凹腔结构，在所述凹腔结构的四周侧壁上形成第二弹性缓冲层，并在所述凹腔结构的底面形成第三弹性缓冲层；

(7)接着在所述凹腔结构中形成滤色层；

(8)接着在所述滤色层上形成透镜层。

2.根据权利要求1所述的传感器封装结构的制备方法，其特征在于：对所述半导体衬底进行减薄处理之前，在所述半导体衬底的所述第一表面上形成重布线层，所述重布线层包括介质层以及位于所述介质层中的一层或多层金属层，所述金属层与所述感光结构电连接。

3.根据权利要求1所述的传感器封装结构的制备方法，其特征在于：在所述步骤(2)中，将所述半导体衬底减薄至30-50微米。

4.根据权利要求1所述的传感器封装结构的制备方法，其特征在于：通过PECVD法、热氧化、ALD或磁控溅射法形成所述减反射层，所述减反射层的材料为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝以及二氧化钛中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的传感器封装结构的制备方法，其特征在于：在所述步骤(5)中，通过涂布法在所述间隙中形成第一弹性缓冲层，在所述步骤(6)中，通过喷涂工艺形成所述第二弹性缓冲层和所述第三弹性缓冲层。

6.根据权利要求1所述的传感器封装结构的制备方法，其特征在于：所述滤色层包括多个滤色单元，所述滤色单元包括红色滤色单元、蓝色滤色单元以及绿色滤色单元。

7.一种传感器封装结构，其特征在于，采用权利要求1-6任一项所述的方法制备形成的。