[发明专利]一种低电压高转换效率电荷泵电路有效

专利信息
申请号: 202010293922.1 申请日: 2020-04-15
公开(公告)号: CN111525791B 公开(公告)日: 2022-04-15
发明(设计)人: 吴建辉;吴志强;谢祖帅;周全才;瞿剑 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H02M3/07 分类号: H02M3/07
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 刘莎
地址: 214135 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 电压 转换 效率 电荷 电路
【权利要求书】:

1.一种低电压高转换效率电荷泵电路,其特征在于:该电荷泵电路由交叉耦合电荷泵、第一反相器和第二反相器,第一和第二辅助电容以及第一和第二辅助NMOS管组成;

交叉耦合电荷泵由第一和第二NMOS管、第一和第二PMOS管以及第一和第二电容组成,第一反相器由第五NMOS管和第三PMOS管组成,第二反相器由第六NMOS管和第四PMOS管组成;

该电荷泵电路的输入端分别与第一NMOS管的漏极和衬底、第二NMOS管的漏极和衬底、第一辅助NMOS管的漏极和衬底、第二辅助NMOS管的漏极和衬底相连;第一NMOS管的源极分别与第一辅助NMOS管的栅极、第一PMOS管的源极、第四PMOS管的源极和第一电容的下极板相连;第一NMOS管的栅极分别与第一辅助NMOS管的源极和第一辅助电容的上极板相连;第一电容的上极板和第一时钟信号相连;第一辅助电容的下极板与第二辅助时钟信号相连;第五NMOS管的源极和衬底相接后和第二时钟信号相连;第五NMOS管的漏极和第三PMOS管的漏极相连后与第一PMOS管的栅极相连;第五NMOS管的栅极和第三PMOS管的栅极相连后与第一时钟信号相连;第二NMOS管的源极分别与第二辅助NMOS管的栅极、第二PMOS管的源极、第三PMOS管的源极和第二电容的上极板相连;第二NMOS管的栅极分别与第二辅助NMOS管的源极和第二辅助电容的上极板相连;第二辅助电容的下极板与第一辅助时钟信号相连;第二电容的下极板和第二时钟信号相连;第六NMOS管的源极和衬底相接后和第一时钟信号相连;第六NMOS管的漏极和第四PMOS管的漏极相连后与第二PMOS管的栅极相连;第六NMOS管的栅极和第四PMOS管的栅极相连后与第二时钟信号相连;第一PMOS管的衬底和漏极、第三PMOS管的衬底、第四PMOS管的衬底、第二PMOS管的漏极和衬底相接后和该电荷泵电路的输出端相接。

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