[发明专利]基片处理方法和基片处理装置在审

申请号：	202010293846.4	申请日：	2020-04-15
公开（公告）号：	CN111834253A	公开（公告）日：	2020-10-27
发明（设计）人：	高桥哲平	申请（专利权）人：	东京毅力科创株式会社
主分类号：	H01L21/67	分类号：	H01L21/67
代理公司：	北京尚诚知识产权代理有限公司 11322	代理人：	龙淳;刘芃茜
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	处理方法装置
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【说明书】：

本发明提供基片处理方法和基片处理装置。处理基片的基片处理方法包括：(a)通过旋涂法在基片的表面涂敷涂敷液来形成涂敷膜的步骤；(b)对在上述(a)步骤中形成于基片的表面周缘部的上述涂敷膜的凸部，供给上述涂敷液的溶剂的步骤；和(c)在停止供给上述溶剂的状态下，使基片旋转，使上述凸部的顶点向基片的径向外侧移动的步骤，反复进行上述(b)步骤和上述(c)步骤。本发明能够除去形成在基片的表面周缘部的涂敷膜的凸部，使该涂敷膜在基片面内均匀地形成。

技术领域

本发明涉及基片处理方法和基片处理装置。

背景技术

专利文献1公开了从喷嘴对晶片的表面释放涂敷液形成了涂敷膜之后，从喷嘴对该晶片的表面中的周缘部释放有机溶剂，并使晶片短时间且高速地旋转的方法。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2017-191853号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明的技术除去形成在基片的表面周缘部的涂敷膜的凸部，使该涂敷膜在基片面内均匀地形成。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的一个方式为一种处理基片的基片处理方法，其包括：(a)通过旋涂法在基片的表面涂敷涂敷液来形成涂敷膜的步骤；(b)对在上述(a)步骤中形成于基片的表面周缘部的上述涂敷膜的凸部，供给上述涂敷液的溶剂的步骤；和(c)在停止供给上述溶剂的状态下，使基片旋转，使上述凸部的顶点向基片的径向外侧移动的步骤，反复进行上述(b)步骤和上述(c)步骤。

发明效果

依照本发明，能够除去形成在基片的表面周缘部的涂敷膜的凸部，使该涂敷膜在基片面内均匀地形成。

附图说明

图1是表示本实施方式的涂敷处理装置的构成的概略的纵截面图。

图2是表示本实施方式的涂敷处理装置的构成的概略的横截面图。

图3是示意性地说明涂敷处理的各步骤中的晶片上的液膜的状态的说明图。

图4是表示进行了现有的涂敷处理方法的情况下的、晶片的表面周缘部的液膜状态的说明图。

图5是表示进行了第1实施方式的涂敷处理方法的情况下的、晶片的表面周缘部的液膜状态的说明图。

图6是表示使循环次数变化了的情况下的、晶片的表面周缘部的涂敷膜的膜厚变化的图表。

图7是表示使溶剂的供给时间变化了的情况下的、晶片的表面周缘部的涂敷膜的膜厚变化的图表。

图8是表示使溶剂的供给位置变化了的情况下的、晶片的表面周缘部的涂敷膜的膜厚变化的图表。

图9是表示进行了第2实施方式的涂敷处理方法的情况下的、晶片的表面周缘部的液膜状态的说明图。