[发明专利]顶发光型显示装置及其制备方法有效
申请号: | 202010290445.3 | 申请日: | 2020-04-14 |
公开(公告)号: | CN111490079B | 公开(公告)日: | 2022-10-04 |
发明(设计)人: | 李少方 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 何辉 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 显示装置 及其 制备 方法 | ||
本发明公开了一种顶发光型显示装置及其制备方法,所述顶发光型显示装置包括:衬底基板;薄膜晶体管阵列层,设置于所述衬底基板的一侧表面;OLED器件,设置于所述薄膜晶体管阵列层远离所述衬底基板的一侧;第三电极,设置于所述OLED器件的其中一侧表面,所述第三电极与所述薄膜晶体管阵列层电性连接。本发明通过设置第三电极,并改变施加于所述第三电极上的电压,实现所述第三电极在不同透射率的状态中转化,从而既可以实现在发光过程中为透明状态不影响顶发光型显示装置的正常显示,又可以实现在修复过程中为反射状态,将亮线反射回薄膜晶体管阵列层一侧的衬底基板,从而快速定位进行修复。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种顶发光型显示装置及其制备方法。
背景技术
随着显示技术的发展,有机发光二极管(OrganicLight-Emitting Diode,OLED)等显示装置因具有具有低功耗、高色域、高亮度、高分辨率、宽视角、高响应速度等优点,因此备受市场的青睐,而被广泛的应用于各种消费性电子产品中。
OLED按照光出射方向的不同,可以分为两种结构:一种是底发光型,另一种是顶发光型。顶发光型OLED所发出的光是从器件的顶部出射,能有效的提高开口率。目前对于顶发光的OLED显示器的亮线缺陷修复,需在发光面确定亮线位置后,于薄膜晶体管阵列层一侧的基板进行激光修复。那么存在亮线定位的问题,了解到主要两种方式:(1)通过于发光面获得亮线坐标,通过翻转显示装置定位对应的薄膜晶体管阵列层一侧基板的亮线坐标;(2)利用两个电荷耦合器件(Charge-coupled Device,CCD)相机,同时定位。从而分别出现翻转定位精确度及耗时的问题;成本增加的问题。
综上所述,目前的顶发光型显示装置中存在激光修复时亮线定位精确度不高、耗时久以及成本高的技术问题。
发明内容
本发明实施例提供一种顶发光型显示装置及其制备方法,用于解决目前的顶发光型显示装置中存在激光修复时亮线定位精确度不高、耗时久以及成本高的技术问题。
为解决上述问题,第一方面,本发明提供一种顶发光型显示装置,包括:
一种顶发光型显示装置,其特征在于,包括:
衬底基板;
薄膜晶体管阵列层,设置于所述衬底基板的一侧表面;
OLED器件,设置于所述薄膜晶体管阵列层远离所述衬底基板的一侧;及
第三电极,设置于所述OLED器件的其中一侧表面,所述第三电极与所述薄膜晶体管阵列层电性连接。
在本发明的一些实施例中,所述第三电极至少包括两种不同透射率的状态,透射率分别为T1和T2,其中T1>T2。
在本发明的一些实施例中,当所述第三电极设置于所述OLED器件远离所述薄膜晶体管阵列层的一侧表面,所述第三电极在正常显示时透射率为T1,在修复定位时透射率为T2。
在本发明的一些实施例中,当所述第三电极设置于所述OLED器件靠近所述薄膜晶体管阵列层的一侧表面,所述第三电极在正常显示时透射率为T2,在修复定位时透射率为T1。
在本发明的一些实施例中,所述第三电极材料为电致变色材料。
在本发明的一些实施例中,所述第三电极的材料为二维材料二硒化钼、三氧化钨、氧化镍或二氧化钛中的至少一种。
在本发明的一些实施例中,所述第三电极在所述衬底基板上的正投影面积不小于所述OLED器件在所述衬底基板上的正投影面积。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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