[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

形成一目标层于一基板上；

形成一硬遮罩堆叠于该目标层上，其中该硬遮罩堆叠包括依序形成于该目标层上的一第一硬遮罩层以及一第二硬遮罩层；

图案化该第二硬遮罩层以形成多个图案化第二硬遮罩，其中所述图案化第二硬遮罩包括一第二宽遮罩及一第二窄遮罩；

形成多个间隙物于所述第二宽遮罩及所述第二窄遮罩的侧壁；

形成一光阻层以覆盖所述第二宽遮罩的顶面，且所述光阻层覆盖位于所述第二宽遮罩的侧壁的一对间隙物的侧表面，并执行一刻蚀工艺来移除位于所述间隙物之间的所述第二窄遮罩；以及

移除所述光阻层，接着通过所述间隙物与所述第二宽遮罩作为一刻蚀遮罩来刻蚀所述第一硬遮罩层，以形成多个图案化第一硬遮罩于所述目标层上，其中所述间隙物用以定义一第一线宽，所述第二宽遮罩与形成在所述第二宽遮罩的侧壁的该对间隙物共同用以定义一第二线宽。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：

形成一第三硬遮罩层于所述第二硬遮罩层上；

形成一图案化光阻层于所述第三硬遮罩层上；

将所述图案化光阻层的图案转移至所述第三硬遮罩层以形成多个图案化第三硬遮罩，并且所述图案化第三硬遮罩包括一第三宽遮罩及一第三窄遮罩，其中所述图案化第三硬遮罩之间具有一第一间距；以及

通过所述第三宽遮罩及所述第三窄遮罩作为另一刻蚀遮罩来刻蚀所述第二硬遮罩层，以形成所述第二宽遮罩及所述第二窄遮罩。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：

执行一湿刻蚀工艺以侧向刻蚀所述图案化第二硬遮罩，使得所述图案化第二硬遮罩之间具有的一第一间距增加为一第二间距。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述光阻层的边界位于所述第二宽遮罩的侧壁与紧邻的所述第二窄遮罩的侧壁之间。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：

将形成于所述目标层上的所述图案化第一硬遮罩的图案转移至所述目标层，其中所述图案化第一硬遮罩包括一第一宽遮罩及多个第一窄遮罩，所述第一宽遮罩的宽度大抵相等于所述第二宽遮罩的宽度与覆盖所述第二宽遮罩的侧壁的该对间隙物的宽度的总和，以及所述第一窄遮罩的宽度大抵相等于所述间隙物的宽度。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一宽遮罩是用以在所述目标层中定义一选择栅极结构，以及所述第一窄遮罩是用以在所述目标层中定义多个字线结构。

7.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述目标层包括依序堆叠的一栅极层、一导电材料层、以及一盖层。

8.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一硬遮罩层的步骤包括：

形成一氧化物层于所述目标层上；以及

形成一氮化物层于所述氧化物层上，其中所述氧化物层与所述氮化物层组成所述第一硬遮罩层。

9.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二硬遮罩层包括一氧化物层。

10.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第三硬遮罩层包括一多晶硅层。