[发明专利]一种纳米级孔隙结构变化的判断方法及应用

权利要求书

1.一种纳米级孔隙结构变化的判断方法在用于判断页岩纳米级孔隙结构样品的孔隙结构试验表征数据准确度中的应用，其特征在于：所述判断方法包括如下步骤：

a、将真空脱气后的纳米级孔隙结构样品置于液氮中，在预先设定的多个压力值P下检测所述样品的氮气吸附量，获得所述样品的氮气吸附量随相对压力P/P₀变化的等温吸附曲线，所述P₀为吸附温度下氮气的饱和蒸气压；

b、选取0.05≤P/P₀≤0.35范围内的等温吸附曲线，通过斜率s和截距i求得单层吸附需要的氮气体积V_m；利用BET比表面积公式计算样品的比表面SSA；所述BET比表面积公式为式中：σ为被吸附气体的截面积；W为真空脱气后的样品质量；

c、根据NLDFT密度函数理论法，分别计算出微孔、介孔和宏孔的孔体积，进而得到样品中所述微孔、介孔和宏孔的孔体积之和PV；

d、计算样品不同粉碎粒径下SSA/PV的值，根据所述SSA/PV的值随粉碎目数增加的变化趋势判断粉碎过程对样品中纳米级孔隙结构变化的影响；若样品粉碎粒径由20目到200目时，SSA/PV值变小且SSA/PV值随粉碎目数变化的相关性系数R²在0.6以上，则说明所述致密储层纳米级孔隙结构样品的所述孔隙结构试验表征数据存在误差且需要矫正。

2.如权利要求1所述的应用，其特征在于：步骤a中所述真空脱气温度为90-120℃。

3.如权利要求1所述的应用，其特征在于：步骤a中所述真空脱气时间≥9h。

4.如权利要求1所述的应用，其特征在于：步骤b中选取0.1≤P/P₀≤0.3范围内的等温吸附曲线，通过斜率s和截距i求得单层吸附需要的氮气体积V_m。

5.如权利要求1所述的应用，其特征在于：步骤b中所述V_m与所述斜率s和所述截距i的关系为：

6.如权利要求1所述的应用，其特征在于：步骤c中选取0.01≤P/P₀≤0.995范围内的数值，根据NLDFT密度函数理论法，通过ASiQ软件统计得到所述微孔、介孔和宏孔的孔体积。

7.如权利要求1所述的应用，其特征在于：步骤d中根据样品粉碎粒径由20目到200目时SSA/PV值的变化来判断所述样品中纳米级孔隙结构的变化。

8.如权利要求1-7任一项所述的应用，其特征在于：所述纳米级孔隙结构变化的判断方法在用于判断制样损伤过程对致密储层纳米级孔隙结构影响的应用。