[发明专利]镀金方法及镀覆膜

说明书

本发明提供镀金方法及镀覆膜，其防止由于安装等引起的热历程而导致引线键合特性降低。另外，提供一种即使减少镀金覆膜的膜厚也能防止由于安装等引起的热历程而导致引线键合特性降低的镀金方法及镀覆膜。一种镀金方法，其特征在于，其是在铜或铜合金覆膜上使用银催化剂进行镀覆的、用于引线键合连接的镀金方法，所述方法包括：银催化剂形成工序，其中，为了形成钯覆膜而形成作为银催化剂的银覆膜；钯覆膜形成工序，其中，在所述银催化剂上形成钯覆膜；以及，镀金覆膜形成工序，其中，在在所述钯覆膜上形成镀金覆膜，所述银覆膜的膜厚为0.05μm～0.5μm。

技术领域

本发明涉及一种在铜或铜合金覆膜上使用银催化剂进行镀覆的、用于引线键合连接的镀金方法及镀覆膜。

背景技术

以往，用于引线键合连接的镀金在铜或铜合金覆膜上利用置换反应赋予钯催化剂、进行镀钯后实施。或者，在铜或铜合金覆膜上进行镀金，然后镀钯，再次镀金。

例如，专利文献1中，为了获得引线键合特性良好的引线键合用端子，在引线键合用端子的铜的表面上形成钯纯度为99.5重量％以上的置换镀钯覆膜或钯纯度为99.5重量％以上的化学镀钯覆膜、置换镀金覆膜、化学镀金覆膜。

另外，专利文献2中，为了解决由化学镀钯的稳定性下降引起的异常析出的问题，在设置有电路图案的基板上进行镀金、镀钯、再次镀金。

另外，专利文献3中，提供一种铜系金属上的镀钯覆膜，其特征在于，使用催化剂赋予液，在铜系金属上进行化学还原镀钯，该催化剂赋予液用于在铜系金属上赋予0.05～3mg/dm²的金作为催化剂核金属后、在该铜系金属上进行化学还原镀钯，所述催化剂赋予液含有水溶性的金化合物、具有氮原子为2个以上的5元环结构的杂环化合物、及具有亚氨基二乙酸结构的螯合剂作为构成成分。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2005-197442号公报

专利文献2：日本特开2013-108180号公报

专利文献3：日本专利第5567478号公报

发明内容

发明要解决的问题

但是，专利文献1～3中记载的方法存在由于安装等引起的热历程而导致引线键合特性降低的倾向。另外，特别是在减少镀金覆膜的膜厚的情况下，上述热历程会导致引线键合特性降低。

为此，本发明提供一种防止由于安装等引起的热历程而导致引线键合特性降低的镀金方法及镀覆膜。另外，提供一种即使减少镀金覆膜的膜厚也能防止由于安装等引起的热历程而导致引线键合特性降低的镀金方法及镀覆膜。

用于解决问题的方案

本发明的一个实施方式涉及的镀金方法的特征在于，其是在铜或铜合金覆膜上使用银催化剂进行镀覆的、用于引线键合连接的镀金方法，所述方法包括：银催化剂形成工序，其中，为了形成钯覆膜而形成作为银催化剂的银覆膜；钯覆膜形成工序，其中，在所述银催化剂上形成钯覆膜；以及，镀金覆膜形成工序，其中，在所述钯覆膜上形成镀金覆膜，所述银覆膜的膜厚为0.05μm～0.5μm。

由此，可以提供防止由于安装等引起的热历程而导致引线键合特性降低的镀金方法。

另外，本发明的一个实施方式中，所述钯覆膜的粒径也可以为0.09μm以上。

由此，由于钯的粒径会大至0.09μm以上，因此可以防止由于热历程而导致钯颗粒向金覆膜扩散和固溶，防止引线键合特性的降低。

另外，本发明的一个实施方式中，所述镀金覆膜的膜厚也可以为0.2μm以下。