[发明专利]一种飞秒激光前转移技术制备OLED发光器件的方法

说明书

本发明公开了一种飞秒激光前转移技术制备OLED发光器件的方法，包括以下步骤，先在ITO玻璃基板上蒸镀空穴传输层HTL，形成受主ITO玻璃基板；然后制备带有特定图案的待转移发光层EML的施主ITO玻璃基板；再利用飞秒激光脉冲将施主ITO玻璃基板上的发光层EML转移到步骤S1中的空穴传输层HTL上；最后在转移的发光层EML上蒸镀电子传输层ETL和金属阳极Al。本发明的方法可以在非真空条件下，将有机发光功能层薄膜材料以高分辨率和特定形状精准转移到相应基板上，不仅实现了转移区域的精确控制，且对加工环境要求低，降低成本的同时提高了生产效率。

技术领域

本发明涉及激光加工领域，尤其涉及一种飞秒激光前转移技术制备OLED发光器件的方法。

背景技术

OLED的全名为Organic Light-Emitting Diode，中文名为有机发光二极管。与目前被广泛使用的平板显示器LCD相比，OLED具有主动发光、高对比度、超轻薄、耐低温、响应速度快、功耗低、视角广、抗震能力强等特点，而且更适合柔性显示和3D显示。

目前主流的OLED制备工艺中实现OLED屏幕全彩颜色的方案主要是“蒸镀”。这类蒸镀所用的技术叫FMM(精细金属掩模板)，就是蒸镀的时候为了区分像素，盖个掩膜，而掩膜的对齐及掩膜材料本身都会成为技术难点。采用FMM方法蒸镀出来的OLED，效果很不错，三原色都非常纯粹，但成本非常高昂。为解决这一关键问题，需要从改进真空蒸镀技术和开发新的薄膜材料(对于OLED就是有机发光功能层)制备技术等方面着手。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于针对现有技术的缺陷，提供一种飞秒激光前转移技术制备OLED发光器件的方法，可以在非真空条件下，将有机发光功能层薄膜材料以高分辨率和特定形状转移到相应基板上。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：

提供一种飞秒激光前转移技术制备OLED发光器件的方法，制备的OLED发光器件包括从下至上依次叠层设置的ITO玻璃基板、空穴传输层HTL、发光层EML、电子传输层ETL和金属阳极Al，包括以下步骤：

S1、在ITO玻璃基板上蒸镀空穴传输层HTL，形成受主ITO玻璃基板，所述空穴传输层HTL厚度为50～80nm；

S2、制备带有特定图案的待转移发光层EML的施主ITO玻璃基板；

S3、利用飞秒激光脉冲将施主ITO玻璃基板上的发光层EML转移到步骤S1中的空穴传输层HTL上，形成的发光层EML厚度为40～60nm；

S4、在转移的发光层EML上蒸镀电子传输层ETL和金属阳极Al，所述电子传输层ETL厚度为10～20nm，所述金属阳极Al厚度为50～70nm。

接上述技术方案，步骤S2中制备带有特定图案的待转移发光层EML的施主ITO玻璃基板是指：在施主ITO玻璃基板上先蒸镀Al膜，所述Al膜厚度为50～70nm，接着在Al膜上再蒸镀发光层EML薄膜，所述发光层EML薄膜厚度为40～60nm。

接上述技术方案，步骤S3中利用飞秒激光脉冲将施主ITO玻璃基板上的发光层EML转移到步骤S1中的空穴传输层HTL上，包括以下步骤：

S31、将施主ITO玻璃基板的发光层EML薄膜与受主ITO玻璃基板的空穴传输层HTL正对，并调节二者距离为0～100um；

S32、调节飞秒激光器，使激光光斑聚焦于施主ITO玻璃基板的发光层EML薄膜界面上；

S33、调节飞秒激光器的工艺参数，使激光光斑在施主ITO玻璃基板的发光层EML薄膜界面上连续扫描，完成施主ITO玻璃基板的发光层EML的转移。

接上述技术方案，所述施主ITO玻璃基板上的发光层EML薄膜材料为红光材料、蓝光材料或者绿光材料。