[发明专利]一种去绕镀方法及钝化接触太阳能电池制备方法

说明书

本申请公开了一种去绕镀方法，包括获得正面形成有BSG层的硅片；在硅片的背面形成氧化层；在氧化层背离硅片的表面形成多晶硅层，并对多晶硅层进行磷扩散形成PSG层，且PSG层的厚度取值范围为30nm至50nm，包括端点值；利用氢氟酸溶液去除正面绕镀，并利用氢氧化钾溶液去除正面多晶硅。本申请中PSG层厚度较厚，利用氢氟酸溶液单面去除正面的绕镀，此时由于PSG层厚度较厚，起到保护背面氧化层的作用，再用氢氧化钾溶液去除正面多晶硅，完成去绕镀，氢氟酸、氢氧化钾溶液均为光伏行业常规使用的化学品，不使用任何添加剂，降低生产成本，且不会给废液处理带来压力。本申请还提供一种具有上述优点的钝化接触太阳能电池制备方法。

技术领域

本申请涉及太阳能电池制备技术领域，特别是涉及一种去绕镀方法及钝化接触太阳能电池制备方法。

背景技术

隧穿氧化钝化接触太阳能电池是一种高效的太阳能电池，其背面有隧穿氧化层和掺杂多晶硅层组成的钝化接触结构，隧穿氧化层能够对载流子选择性传输，起到较好的钝化作用，同时允许少子通过，有效减小金属化区域的复合，可提高电池的开路电压和填充因子，进而提升电池的转换效率。

去绕镀是制备钝化接触太阳能电池过程中的重要工艺，目前去绕镀的方法如下两种：第一种是掩膜法，在硼扩散层上形成氮化硅掩膜层，使得多晶硅(poly-Si)层绕镀在氮化硅掩膜层上，再通过氢氟酸溶液去除氮化硅掩膜层进而达到去除绕镀在氮化硅掩膜层上的poly-Si的目的，该工艺流程需要增加掩膜工艺，增加生产成本。第二种是采用无机碱或者有机碱(四甲基氢氧化铵)去绕镀，有机碱对人体危害较大，无机碱和添加剂组合使用时，添加剂会对后续废液处理造成一定的压力。

因此，如何解决上述技术问题应是本领域技术人员重点关注的。

发明内容

本申请的目的是提供一种去绕镀方法及钝化接触太阳能电池制备方法，以降低生产成本，同时避免给废液处理增加压力。

为解决上述技术问题，本申请提供一种去绕镀方法，包括：

获得正面形成有BSG层的硅片；

在所述硅片的背面形成氧化层；

在所述氧化层背离所述硅片的表面形成多晶硅层，并对所述多晶硅层进行磷扩散形成PSG层，且所述PSG层的厚度取值范围为30nm至50nm，包括端点值；

利用氢氟酸溶液去除正面绕镀，并利用氢氧化钾溶液去除正面多晶硅。

可选的，在所述利用氢氧化钾溶液去除正面多晶硅之后，还包括：

利用氢氧化钾和双氧水的混合液清洗去除正面多晶硅后的硅片。

可选的，所述获得正面形成有BSG层的硅片包括：

对待处理硅片的正面进行硼扩散；

刻蚀位于扩散后待处理硅片背面和边缘的PN结，得到所述硅片。

可选的，在所述对待处理硅片的正面进行硼扩散之前，还包括：

对所述待处理硅片的所述正面进行制绒。

可选的，所述氢氧化钾溶液的浓度取值范围为1％至2.5％，包括端点值。

可选的，所述氢氧化钾溶液的温度取值范围为45℃至65℃，包括端点值。

可选的，所述混合液中的所述氢氧化钾的浓度取值范围为1.25％至2％，所述双氧水的浓度取值范围为15％至20％，包括所有端点值。

可选的，所述混合液的温度取值范围为50℃至70℃，包括端点值。

本申请还提供一种钝化接触太阳能电池制备方法，包括：

获得去绕镀硅片，所述去绕镀硅片由上述任一种所述的去绕镀方法制得；