[发明专利]一种降低导通电阻和增加安全工作区的功率半导体器件结构在审
| 申请号： | 202010271966.4 | 申请日： | 2020-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN111463271A | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 弓小武;张弦;田鸿昌;何晓宁;陈晓炜 | 申请（专利权）人： | 陕西半导体先导技术中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10 |
| 代理公司： | 西安乾方知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 61259 | 代理人： | 胡思棉 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 降低 通电 增加 安全 工作 功率 半导体器件 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种降低导通电阻和增加安全工作区的功率半导体器件结构，包括N漂移区，在N漂移区内设置的P-body区，在P-body区内的表面设置有P+接触层，在P-body区内P+接触层外围设置有N+源区，其特征在于在P+接触层下方的P-body区内设置有收集杂散电流的P+埋层；在P-body区外围的N漂移区表面设置有N+掺杂区；P+埋层的浓度比P-body区掺杂浓度高1-5个量级；N+掺杂区的浓度应低于P-body区的浓度，且高于N漂移区的浓度。
2.根据权利要求1所述的降低导通电阻和增加安全工作区的功率半导体器件结构，其特征在于所述P+埋层为横向直条结构或弧形长条结构。
3.根据权利要求1所述的降低导通电阻和增加安全工作区的功率半导体器件结构，其特征在于N+掺杂区为均匀掺杂或渐变掺杂；当为渐变掺杂时，N+掺杂区浓度从P-body区外侧边缘向外的浓度依次增高。
4.根据权利要求2所述的降低导通电阻和增加安全工作区的功率半导体器件结构，其特征在于所述P+埋层的弧形长条结构最大长度可覆盖P-body区与N漂移区的接触面。
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