[发明专利]存储器及其形成方法

权利要求书

1.一种存储器，其特征在于，包括：

一衬底，所述衬底中形成有多个呈阵列式排布且沿第一预定方向延伸的有源区；

多条字线结构，位于所述衬底中，且沿着第二预定方向延伸以穿过相应的有源区；

多条位线结构，位于所述衬底上，且沿着第三预定方向延伸以穿过相应的有源区，所述位线结构至少部分延伸至所述有源区中，且所述有源区中的所述位线结构排布在相邻的所述字线结构之间，相邻的位线结构界定出位于所述有源区上的节点接触窗；

多个节点接触结构，填充在所述节点接触窗中并和对应的所述有源区电性连接；以及

介质层，位于伸入所述有源区中的字线结构，且至少覆盖所述字线结构靠近所述节点接触结构的至少部分侧壁；

所述字线结构位于字线沟槽内，至少包括栅介质层及依次位于所述栅介质层上的栅导电层及栅绝缘层，所述栅介质层覆盖字线沟槽的内壁，所述栅介质层与所述栅导电层和所述栅绝缘层的侧壁相接触；

所述介质层还覆盖所述字线结构靠近所述位线结构的至少部分侧壁，其中，所述介质层中覆盖所述字线结构靠近所述节点接触结构的侧壁的部分构成第一侧墙，所述介质层覆盖所述字线结构靠近所述位线结构的侧壁的部分构成第二侧墙，所述第一侧墙的顶部位于所述衬底中的第一深度位置，所述第二侧墙的顶部位于所述衬底中的第二深度位置，所述第一深度位置高于所述第二深度位置。

2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，相邻的字线结构的第二侧墙的顶部位于所述衬底的不同深度位置。

3.如权利要求1或2所述的存储器，其特征在于，所述第一侧墙及所述第二侧墙均位于所述栅绝缘层的侧壁上。

4.如权利要求1或2所述的存储器，其特征在于，所述节点接触窗的底部延伸至所述衬底中的第一深度位置，所述第一侧墙从所述节点接触窗的底部延伸至所述衬底中的第三深度位置；所述位线结构的底部延伸至所述衬底中的第二深度位置，所述第二侧墙从所述位线结构的底部延伸至所述第三深度位置，所述第一深度位置及所述第二深度位置均高于所述第三深度位置。

5.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述介质层的材料为氧化硅和/或氮化硅。

6.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述衬底中还形成有分隔相邻的有源区的沟槽隔离结构，所述字线结构中位于所述有源区中的部分构成第一字线结构，所述字线结构中位于所述沟槽隔离结构中的部分构成第二字线结构；所述位线结构中对应所述有源区中的部分构成第一位线结构，所述位线结构中对应所述沟槽隔离结构中的部分构成第二位线结构，所述第一位线结构从所述衬底上延伸至所述有源区中相邻的第二字线结构之间，所述第二位线结构位于所述衬底上。

7.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第二预定方向与所述第三预定方向垂直，所述第一预定方向与所述第二预定方向与所述第三预定方向相交。