[发明专利]反熔丝单元及反熔丝阵列在审
| 申请号： | 202010271766.9 | 申请日： | 2020-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN113496989A | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 刘志拯 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L27/108;H01L27/112 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 反熔丝 单元 阵列 | ||
1.一种反熔丝单元，其特征在于，所述反熔丝单元包括反熔丝器件和二极管；
所述反熔丝器件的正极与位线电连接，所述反熔丝器件的负极与所述二极管的正极电连接，所述二极管的负极与字线电连接。
2.根据权利要求1所述的反熔丝单元，其特征在于，所述反熔丝器件包括：
栅极层，位于衬底上，所述栅极层为所述反熔丝器件的正极；
反熔丝注入层，位于所述衬底中，所述反熔丝注入层为所述反熔丝器件的负极；
栅氧化层，位于所述栅极层和所述反熔丝注入层之间。
3.根据权利要求2所述的反熔丝单元，其特征在于，所述反熔丝器件还包括：浅槽隔离区和第一导电类型阱区，所述栅氧化层覆盖所述浅槽隔离区的部分区域，所述反熔丝器件位于所述第一导电类型阱区内，所述第一导电类型阱区位于所述衬底中。
4.根据权利要求3所述的反熔丝单元，其特征在于，所述反熔丝器件还包括：第二导电类型重掺杂区，所述第二导电类型重掺杂区位于所述反熔丝注入层中。
5.根据权利要求1所述的反熔丝单元，其特征在于，所述二极管包括：
第二导电类型阱区，位于所述衬底中，作为所述二极管的负极；
第一导电类型掺杂区，位于所述第二导电类型阱区中，作为所述二极管的正极。
6.根据权利要求4或5所述的反熔丝单元，其特征在于，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。
7.一种反熔丝阵列，其特征在于，包括多个如权利要求1～6中任意一项所述的反熔丝单元，多个所述反熔丝单元形成M行N列的阵列，位于同一列的所述M个反熔丝单元的反熔丝器件的正极与同一所述位线电连接，位于同一行的所述N个反熔丝单元的二极管的负极与同一所述字线电连接。
8.根据权利要求7所述的反熔丝阵列，其特征在于，所述同一列的位线还串接一开关，用于控制对应的所述同一列的位线的连接或断开。
9.根据权利要求8所述的反熔丝阵列，其特征在于，所述M、所述N均为正偶数。
10.根据权利要求9所述的反熔丝阵列，其特征在于，所述位线与所述字线的电压差小于所述二极管的导通电压。
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