[发明专利]一种LED显示装置及巨量转移方法

说明书

本发明涉及显示器制造领域，具体涉及一种LED显示装置，其包括一显示背板，多个第一LED芯片、多个第二LED芯片及多个第三LED芯片，所述显示背板上形成有多个第一凸台及多个第二凸台，所述第一LED芯片设置于所述第一凸台上，所述第二LED芯片设置于所述第二凸台上，所述第一凸台的高度H11大于所述第二凸台的高度H22。同时，本发明还涉及一种巨量转移方法，用于微元件的转移，无需单独制作转移头，仅需要用感光树脂制作临时转移头即可完成LED芯片的转移，转移精度高、效率高。

技术领域

本发明涉及LED显示装置制造技术领域，尤其涉及一种LED显示装置及巨量LED芯片转移方法。

背景技术

微LED发展是未来显示技术的热点之一，但其技术难点多且技术复杂，特别是其关键技术--巨量转移技术。随着技术的发展，巨量转移技术发展至今已经出了不少技术分支，如静电吸附、镭射激光烧触等。

现阶段对红蓝绿(RGB)三色微LED的巨量转移过程，一般采用分次转移的方式，即一次只能转移一种颜色的微LED芯片，利用震动和风力使对应形状的微LED芯片落入装载槽。所以，对于形状相同的RGB三色微LED芯片，需要通过三次巨量转移工艺，而微LED芯片尺寸在100um以下，因此，在巨量转移的过程中，传统的制作转移头进行转移。则需要将转移头需要做得非常小与之匹配，对精度要求非常高，因而对转移设备的制造要求也会非常高。

半导体封装中，常常利用到一些具有高弹性、易加工的聚合物，这些聚合物旋涂后常温即可形成固态。通常通过制作模具后，于模具中灌注聚合物材料，固化后模具，形成转移微柱子，并利用柱子对准来抓取微元件，转移后利用机械力将微柱子压断，然而，这种方法工艺较复杂，更重要的是在使用微柱子抓取微元件时，需要精确对准，容易产生产品良率下降的情况。

发明内容

基于以上问题，本发明设计一种LED显示装置结构，能够很好的实现微LED芯片的巨量转移，其具体结构如下：

一种LED显示装置，其包括一显示背板，所述显示背板上阵列划分为多个像素区域；

每个像素区域，包括，第一LED芯片、第二LED芯片及第三LED芯片，以及设置在所述显示背板上的第一凸台和第二凸台；

所述第一LED芯片设置于所述第一凸台上，

所述第二LED芯片设置于所述第二凸台上，

所述第三LED芯片设置于所述像素区域内的显示背板上，

所述第一凸台的高度H11大于所述第二凸台的高度H22。

进一步的，所述第二LED芯片及所述第三LED芯片的高度分别为h2、h3，

所述第一凸台的高度H11、所述第二凸台的高度H22，满足以下条件：

H22≥h3、H11≥h2+h3。

本申请还包括一种巨量转移方法，包括步骤：

S10提供一第一生长基板，所述第一生长基板上有多个第一LED芯片，所述第一LED芯片的电极背离所述第一生长基板；

S11提供一第一临时基板，所述第一临时基板上设置有胶合剂，将所述第一LED芯片的电极粘附于所述第一临时基板的第一胶合剂层上，剥离所述第一生长基板；

S12在设置有所述第一LED芯片的所述第一临时基板上涂覆感光树脂，形成第一感光树脂层，所述第一感光树脂层的厚度H1大于所述第一LED芯片的高度为h1，即，H1h1；

S13在所述感光树脂层上覆盖一第二临时基板，所述第二临时基板采用透光材料制成；