[发明专利]一种可以消除密勒效应的快速光电耦合器及实现方法在审
| 申请号： | 202010271567.8 | 申请日： | 2020-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN111262568A | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 崔建国;宁永香;崔建峰;崔燚;李光序 | 申请（专利权）人： | 崔建国 |
| 主分类号： | H03K17/78 | 分类号： | H03K17/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 045000 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 可以 消除 效应 快速 光电 耦合器 实现 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种可以消除密勒电容影响的快速光电耦合器及实现方法，其特征在于：所述快速光电耦合器包括光耦输入电路、晶体管光电耦合器电路、射极跟随器电路、射极跟随器基极偏压产生电路、偏压稳定电路、负载电阻电路；所述光耦输入电路由电阻RV构成，输入信号通过电阻RV进入所述晶体管光电耦合器电路TIL111,所述射极跟随器电路由晶体管T2构成，所述晶体管光电耦合器电路TIL111的内部晶体管T1的集电极连接晶体管T2的发射极，12V电源通过所述负载电阻电路RL连接晶体管T2的集电极，12V电源依次通过电阻R1、R2连接工作地构成所述射极跟随器基极偏压产生电路，电阻R1、R2的连接点与晶体管T2的基极相连，电解电容C1构成所述偏压稳定电路，电容C1的负极接地、正极连接晶体管T2的基极。
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