[发明专利]一种原位合成α-Bi2

权利要求书

1.一种原位合成α-Bi₂O₃/CuBi₂O₄异质结光催化材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，将Bi(NO₃)₃·5H₂O加入甲醇溶液中，得到Bi³⁺溶液；将Cu(NO₃)₂·3H₂O加入去离子水中，得到Cu²⁺溶液；将1,3,5-均苯三甲酸(H₃BTC)加入N,N-二甲基甲酰胺(DMF)中，得到H₃BTC溶液；

步骤2，将步骤1中Cu²⁺溶液滴加至Bi³⁺溶液中，在室温下搅拌至均匀状态，得到混合液；

步骤3，将步骤1中H₃BTC溶液滴加至步骤2混合液中，在室温条件下搅拌后进行反应，然后用去离子水和无水乙醇洗涤并烘干，得到前驱物；

步骤4，将步骤3中得到的前驱物煅烧，得到α-Bi₂O₃/CuBi₂O₄异质结光催化材料。

2.如权利要求1所述的原位合成α-Bi₂O₃/CuBi₂O₄异质结光催化材料的制备方法，其特征在于，步骤1中Bi(NO₃)₃·5H₂O：甲醇＝0.97g：10mL；步骤1中Cu(NO₃)₂·3H₂O：去离子水＝0.2416g：10mL；步骤1中1,3,5-均苯三甲酸：N,N-二甲基甲酰胺＝1g：15mL。

3.如权利要求1所述的原位合成α-Bi₂O₃/CuBi₂O₄异质结光催化材料的制备方法，其特征在于，步骤3中搅拌时间为1～2h，反应温度为120℃，反应时间为24h。

4.如权利要求1所述的原位合成α-Bi₂O₃/CuBi₂O₄异质结光催化材料的制备方法，其特征在于，步骤3中烘干温度为60～80℃。

5.如权利要求1所述的原位合成α-Bi₂O₃/CuBi₂O₄异质结光催化材料的制备方法，其特征在于，步骤4中煅烧温度为T，400℃≤T＜800℃，煅烧时间为3h，升温速率为2℃/min。

6.一种如权利要求1-5任一所述的原位合成α-Bi₂O₃/CuBi₂O₄异质结光催化材料在光催化去除NO中的应用。

7.如权利要求6所述的原位合成α-Bi₂O₃/CuBi₂O₄异质结光催化材料在光催化去除NO中的应用，其特征在于，光催化去除NO在连续流反应装置中进行，NO初始浓度400ppb，N₂作为平衡气，气流速度3L/min，催化剂用量为0.1g，光源为氙灯，波长大于420nm，光源照射时间为15～60min。