[发明专利]基板金属结构蚀刻方法、TFT制备方法、TFT以及显示装置

说明书

本申请涉及一种基板金属结构蚀刻方法、TFT制备方法、TFT以及显示装置。所述基板金属结构蚀刻方法包括以下步骤：分别向第一蚀刻设备的腔室内灌入蚀刻液和第一惰性气体，腐蚀待处理基板上的裸露的第一层金属以及预设厚度的第二层金属，得到第一蚀刻基板；将第一蚀刻基板放置在第二蚀刻设备的腔室内，并分别向第二蚀刻设备的腔室内灌入蚀刻气体和第二惰性气体，腐蚀第一蚀刻基板上的裸露的剩余的第二层金属，得到蚀刻完成的基板。本申请能够向蚀刻设备灌入惰性气体，降低第一层金属的集氧程度，达到降低第一层金属与第二层金属电偶腐蚀速率。降低因第一层金属与第二层金属之间的介面处第二层金属被腐蚀而导致的第一层金属掏空的现象。

技术领域

本申请涉及半导体材料技术领域，特别是涉及一种基板金属结构蚀刻方法、TFT制备方法、TFT以及显示装置。

背景技术

TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器)主要应用于计算机、视频终端、通讯及仪器仪表等行业。主要应用领域有笔记本电脑、台式计算机监视器、工作站、工业监视器、全球卫星定位系统(GPS)、个人数据处理、游戏机、可视电话、便携式VCD、DVD及其它一些便携装置。经过不断的发展创新，TFT-LCD迅速成长为主流显示器。

随着人们对大尺寸、高分辨率LCD以及低成本的追求，大尺寸玻璃基板和大尺寸的设备的投入势在必行。为了克服大尺寸玻璃基板的布线和RC延迟等问题，例如，采用铜(Cu)金属导线代替原来的铝(AL)金属导线，能够得到更低的电阻率，而被业界广泛的采用。

在实现过程中，发明人发现传统技术中至少存在如下问题：由于金属铜(Cu)易扩散以及附着力较差等特点，在金属Cu制程中一般使用阻挡层(Barrier层)阻止金属Cu扩散以及增加其附着力，如：Cu/Mo(铜/钼)等。在湿蚀刻的过程中，由于金属Cu与Barrier层的金属Mo活性不同，容易发生电偶腐蚀反应，导致作为阳极的金属Mo腐蚀加速，由于Cu/Mo介面处金属Mo被腐蚀，导致底层金属Cu接触蚀刻液造成掏空现象。对TFT器件的性能和信赖性造成不好的影响。

发明内容

基于此，有必要针对传统的金属结构制程过程中，易存在接触蚀刻液的底层金属造成掏空的技术问题，提供一种基板金属结构蚀刻方法、TFT制备方法、TFT以及显示装置。

为了实现上述目的，本发明实施例提供了一种基板金属结构蚀刻方法，包括以下步骤：

分别向第一蚀刻设备的腔室内灌入蚀刻液和第一惰性气体，腐蚀待处理基板上的裸露的第一层金属以及预设厚度的第二层金属，得到第一蚀刻基板；第一层金属位于第二层金属上；

将第一蚀刻基板放置在第二蚀刻设备的腔室内，并分别向第二蚀刻设备的腔室内灌入蚀刻气体和第二惰性气体，腐蚀第一蚀刻基板上的裸露的剩余的第二层金属，得到蚀刻完成的基板。

在其中一个实施例中，第一惰性气体为氩气、氦气、氖气、氪气、氙气或氡气；

第二惰性气体为氩气、氦气、氖气、氪气、氙气或氡气。

在其中一个实施例中，第一层金属为阴极金属；第二层金属为阳极金属。

在其中一个实施例中，第一层金属为铜；第二层金属为钼。

在其中一个实施例中，第一层金属与第二层金属的厚度比为3000/500，3000/1000或3000/1500。

在其中一个实施例中，蚀刻液为过氧化氢；蚀刻气体为六氟化硫或氯气。

在其中一个实施例中，第一惰性气体的流量范围为10至200升每分钟。

另一方面，本发明实施例还提供了TFT制备方法，该TFT制备方法包括上述任意一项的基板金属结构蚀刻方法。

另一方面，本发明实施例还提供了TFT，该TFT包括上述的TFT制备方法制备得到。