[发明专利]一种基于钝化接触的太阳能电池片及其制备方法

权利要求书

1.一种基于钝化接触的太阳能电池片，包括硅基体，其特征在于：所述太阳能电池片还包括：

第一钝化层，其形成于所述硅基体的正面之上；

第一多晶/非晶硅层，其形成于所述正面钝化层之上；

第一掺杂氮化硅层，其形成于所述第一多晶/非晶硅层之上；

第二钝化层，其形成于所述硅基体的背面之上；

第二多晶/非晶硅层，其形成于所述第二钝化层之上；及

第二掺杂氮化硅层，其形成于所述第二多晶/非晶硅层之上；

其中，所述第一掺杂氮化硅层和所述第二掺杂氮化硅层中的一者为P型掺杂氮化硅层，另一者为N型掺杂氮化硅层。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于：所述P型掺杂氮化硅层为掺硼氮化硅、掺镓氮化硅、掺铟氮化硅、掺铝氮化硅、掺铊氮化硅中的一种或多种的组合。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于：所述N型掺杂氮化硅为掺磷氮化硅。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于：所述第一多晶/非晶硅层为与其上的所述第一掺杂氮化硅层掺杂类型相同的掺杂多晶/非晶硅层；和/或，所述第二多晶/非晶硅层为与其上的所述第二掺杂氮化硅层掺杂类型相同的掺杂多晶/非晶硅层。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池片，其特征在于：所述第一多晶/非晶硅层和/或所述第二多晶/非晶硅层在烧结工序中被其上的掺杂氮化硅层中的掺杂源掺杂。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于：所述第一钝化层和/或所述第二钝化层为氧化硅层。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于：所述第一掺杂氮化硅层、所述第一多晶/非晶硅层、所述第一钝化层、所述硅基体、所述第二钝化层、所述第二多晶/非晶硅层及所述第二掺镓氮化硅层依次层叠；和/或，所述硅基体为N型硅基体或P型硅基体；和/或，所述第一钝化层和所述第二钝化层的厚度分别为1~3nm；和/或，所述第一多晶/非晶硅层和所述第二多晶/非晶硅层的厚度分别为10~90nm；和/或，所述第一掺杂氮化硅层和所述第二掺杂氮化硅层的厚度分比为50~200nm。

8.一种如权利要求1-7任一项所述的太阳能电池片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

A、在硅片的正面制备第一钝化层，在硅片的背面制备第二钝化层；

B、在第一钝化层上沉积第一多晶/非晶硅层，在第二钝化层上沉积第二多晶/非晶硅层；

C、在第一多晶/非晶硅层上和第二多晶/非晶硅层中的一者上沉积P型掺杂氮化硅层；

D、在第一多晶/非晶硅层上和第二多晶/非晶硅层中的另一者上沉积N型掺杂氮化硅层；

E、烧结制备电极。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于：所述步骤E中，在烧结时，所述P型掺杂氮化硅及所述N型掺杂氮化硅中的掺杂源进入其下的多晶/非晶硅层中。

10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于：所述制备方法还包括位于所述步骤D之后的退火步骤。