[发明专利]具有省电模式的降压转换器在审

专利信息
申请号: 202010263783.8 申请日: 2020-04-07
公开(公告)号: CN111817559A 公开(公告)日: 2020-10-23
发明(设计)人: 伊凡·鲍格;陆彦宁 申请(专利权)人: 恩倍科微公司
主分类号: H02M3/158 分类号: H02M3/158;H02M1/088
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 张瑞;杨明钊
地址: 美国德*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 模式 降压 转换器
【权利要求书】:

1.一种装置,包括:

电抗降压电路;以及

开关电路,其向所述降压电路提供输入并从所述电抗降压电路接收调节电压,所述开关电路被配置为:

在第一模式下操作,所述第一模式被配置为通过以第一频率评估所述调节电压,来根据所述调节电压向所述电抗降压电路供电;

在第二模式下操作,所述第二模式被配置为通过以小于所述第一频率的第二频率评估所述调节电压来向所述电抗降压电路供电。

2.根据权利要求1所述的装置,其中,所述电抗降压电路作为降压转换器进行操作。

3.根据权利要求1所述的装置,还包括比较器,所述比较器具有耦合到晶体管的栅极的比较器输出,所述晶体管选择性地将驱动电压耦合到所述电抗降压电路,并且所述比较器具有耦合到参考电压和所述调节电压的函数的比较器输入;

其中,所述开关电路被配置为在所述第一模式中以所述第一频率对所述比较器进行轮询,并且在所述第二模式中以所述第二频率对所述比较器进行轮询。

4.根据权利要求3所述的装置,还包括以所述第一频率输出第一时钟信号的高频时钟和以所述第二频率输出第二时钟信号的低频时钟;

其中,所述开关电路包括第一复用器,所述第一复用器具有:

耦合到所述高频时钟的第一复用器输入,

耦合到所述低频时钟的第二复用器输入,

耦合到模式选择器线路的第一选择输入,以及

耦合到所述比较器的时钟输入的第一复用器输出,所述第一复用器被配置为当所述模式选择器线路指示在所述第一模式下操作时,将所述高频时钟耦合到所述第一复用器输出。

5.根据权利要求4所述的装置,其中,所述开关电路还包括:

第二复用器,其具有:

耦合到所述高频时钟的第三复用器输入;

耦合到所述模式选择器线路的第二选择输入;以及

第二复用器输出,所述第二复用器被配置为当所述模式选择器线路指示在所述第一模式下操作时,将所述高频时钟耦合到所述第二复用器输出;以及

计数器,其具有起始输入、时钟输入和控制输出,其中:

所述起始输入耦合到所述比较器输出;

所述控制输出耦合到所述晶体管的栅极;

所述时钟输入耦合到所述第二复用器输出;以及

所述计数器被配置为在检测到所述起始输入上的转变之后发生的所述时钟输入上的周期达到编程数之后,在所述控制输出中输出转变。

6.根据权利要求5所述的装置,还包括环形振荡器,所述环形振荡器具有耦合到所述第二复用器的第四复用器输入的振荡器输出,所述第二复用器被配置为当所述模式选择器线路指示在所述第二模式下操作时,将所述振荡器输出耦合到所述计数器的所述时钟输入。

7.根据权利要求6所述的装置,其中,所述环形振荡器还被配置为响应于所述比较器输出上的转变而输出脉冲串。

8.根据权利要求5所述的装置,其中,所述晶体管是PMOS(p沟道金属氧化物半导体)晶体管,所述开关电路还包括选择性地将地电位耦合到所述电抗降压电路的NMOS(n沟道金属氧化物半导体);

其中,所述开关电路还包括触发器,所述触发器具有耦合到所述计数器的所述控制输出的触发器输入和耦合到所述NMOS晶体管的栅极的触发器输出。

9.根据权利要求1所述的装置,其中,所述开关电路还包括:

反馈电路,其被配置为根据相对于参考电压对所述调节电压的评估来在反馈输出上生成反馈信号,所述反馈电路具有一部件,所述部件被配置为在所述第二模式中以比在所述第一模式中更低的电压和更低的电流中的至少一个进行操作。

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