[发明专利]高量程压差传感器

权利要求书

1.一种过程压力变送器，包括：

变送器电子装置，所述变送器电子装置布置在壳体内；

压力传感器，所述压力传感器包括：

单元主体，所述单元主体包括限定内腔的第一材料；

可偏转膜片，所述可偏转膜片包括具有导电部分的第二材料，所述可偏转膜片联接至所述单元主体并且将所述内腔分成第一腔和第二腔；

其中，第一腔和第二腔各自包含电介质填充流体，每种电介质填充流体适于接收压力并在可偏转膜片上施加相应的力，并且可偏转膜片能够响应于第一腔和第二腔中的电介质填充流体接收的压力的差而偏转；

第一电极，所述第一电极在第一腔内联接至单元主体，所述第一电极电容耦合至所述可偏转膜片，以形成第一可变电容器；

第一引线，所述第一引线电连接到第一电极并从所述单元主体延伸；

第二电极，所述第二电极在第二腔内联接至单元主体，所述第二电极电容耦合至可偏转膜片的所述导电部分，以形成第二电容器，其中，所述第一可变电容器和第二可变电容器具有与所施加的压力相关联的电容值；和

第二引线，所述第二引线电连接到第二电极并从所述单元主体延伸；

其中，第一引线和第二引线电连接到变送器电子装置；

其中，所述可偏转膜片包括围绕所述可偏转膜片的周边定位的凹槽区域，所述凹槽区域被构造成防止由所述可偏转膜片的偏转导致的、所述可偏转膜片和所述单元主体之间的接触。

2.根据权利要求1所述的过程压力变送器，其中，

所述第二材料包括Inconel合金。

3.根据权利要求2所述的过程压力变送器，其中，

所述Inconel合金包括Inconel718型合金。

4.根据权利要求1所述的过程压力变送器，其中，

所述第一材料包括Nitronic合金。

5.根据权利要求4所述的过程压力变送器，其中，

所述Nitronic合金包括Nitronic32型合金。

6.根据权利要求1所述的过程压力变送器，其中，

所述第一材料包括Nitronic32型合金，并且所述第二材料包括Inconel718型合金。

7.根据权利要求1所述的过程压力变送器，其中，

所述单元主体由两个半部分式单元形成。

8.根据权利要求7所述的过程压力变送器，其中，

所述两个半部分式单元被焊接到所述可偏转膜片上。

9.根据权利要求8所述的过程压力变送器，其中，

第一焊接部将第一半部分式单元联接到所述可偏转膜片，并且第二焊接部将第二半部分式单元联接到所述可偏转膜片。

10.根据权利要求9所述的过程压力变送器，其中，

所述第一焊接部和第二焊接部位于所述可偏转膜片的平台区域中。

11.根据权利要求10所述的过程压力变送器，其中，

所述第一焊接部和第二焊接部部分地延伸到所述平台区域中。

12.根据权利要求1所述的过程压力变送器，包括位于所述可偏转膜片的所述凹槽区域的相反侧的相反的凹槽区域。

13.根据权利要求12所述的过程压力变送器，其中，

所述凹槽区域是锥形的。

14.根据权利要求13所述的过程压力变送器，其中，

与所述可偏转膜片的在所述凹槽区域的内周边处的厚度相比，所述可偏转膜片的在所述凹槽区域的外周边处的厚度更大。