[发明专利]并入设计灵活的封装平台的功率放大器封装和系统

说明书

提供了多赫蒂功率放大器(PA)和其它PA封装的实施例，以及包括PA封装的系统。在实施例中，PA封装包括封装主体，其具有纵向轴线；第一组输入侧引线，其从所述封装主体的第一侧伸出并且具有组内引线间距；和第一组输出侧引线，其从所述封装主体的第二侧伸出并且也具有所述组内引线间距。第一载流子输入引线从所述第一封装主体侧伸出并且与所述第一组输入侧引线相距输入侧隔离间隙，所述输入侧隔离间隙的宽度超过所述组内引线间距。类似地，第一载流子输出引线从所述第二封装主体侧伸出，与所述第一载流子输入引线横向对齐，并且与所述第一组输出侧引线相隔输出侧隔离间隙。

技术领域

本发明的实施例总体上涉及微电子学，并且更具体地涉及并入设计灵活的封装平台的功率放大器封装，以及涉及包含这种封装的功率放大器系统。

缩写词

在本文档中相对较低频率出现的缩写词在首次使用时定义，而在本文档中较高频率出现的缩写词的定义如下：

FET——场效应晶体管；

IC——集成电路；

IPD——集成无源装置；

MN——匹配网络；

PA——功率放大器；

PCB——印刷电路板；和

RF——射频。

背景技术

无线通信系统(例如，蜂窝基站)通常并入包含多赫蒂PA的微电子封装(在本文中为“多赫蒂PA封装”)，以增强RF信号的强度。传统上，多赫蒂PA封装包括以对称、双向、双路径配置布置的至少一个载流子晶体管和至少一个峰值晶体管。晶体管通常提供在单独的半导体管芯上，所述半导体管芯以并排关系附接到导电凸缘或基板的管芯键合区域。载流子(或主)信号放大路径从载流子输入引线延伸通过载流子晶体管并且到达载流子输出引线；而并行峰值(或辅助)信号放大路径从峰值输入引线延伸通过峰值晶体管并且到达峰值输出引线。在对称多赫蒂PA封装的情况下，晶体管管芯和附接有晶体管管芯的管芯键合区域被赋予基本上相等的尺寸。类似地，晶体管管芯的输入和输出引线通常被赋予相等的宽度，所述相等的宽度通常对应于沿PA封装的纵向轴线的管芯键合区域的宽度。

尽管对称双向多赫蒂架构仍然很普遍，但并入更复杂的多赫蒂架构的PA封装越来越受欢迎。例如，具有对称和非对称布局的三向和四向多赫蒂PA封装现在可广泛地用于商业用途。特别地，对于具有非对称布局的多赫蒂PA封装，分配给封装内包含的一个或多个峰值晶体管管芯的可用管芯键合区域的份额要比分配给一个或多个载流子晶体管管芯的可用管芯键合区域的份额大。这可以相对于一个或多个载流子晶体管增加多赫蒂PA封装内的一个或多个峰值晶体管的尺寸，以增强性能特性；例如，增加增益、线性、稳定性和/或功率附加效率水平。在某些情况下，输入和输出引线的相应宽度也可以以相对应的非对称关系变化。因此，某些非对称多赫蒂PA封装被制造成包括不同宽度的输入和输出引线。通常，较宽的引线与附接有一个或多个峰值晶体管管芯的较宽的一个或多个管芯键合区域对齐，而较窄的引线与键合有一个或多个载流子晶体管管芯的较窄的一个或多个管芯键合区域对齐。这种非对称多赫蒂PA封装非常适合使用基于引线框架的制造方法进行制造，并且可以提供某些益处，例如增加电流分布的均匀性，并且降低通过PA封装的相邻载流子和峰值信号放大路径传导的电信号之间的交叉耦合的可能性。尽管如此，通常仍需要在多赫蒂PA封装和PA封装的性能特性和设计灵活性上进行另外的改进。

发明内容

根据本发明的第一方面，提供一种功率放大器(PA)封装(110)，包括：

封装主体(112)，其具有纵向轴线(114)；

第一组输入侧引线(132-1、134-1、136-1)，其从所述封装主体(112)的第一侧(115)伸出并且以沿所述纵向轴线(114)的组内引线间距隔开；