[发明专利]一种硅片的抛光后清洗方法有效
| 申请号： | 202010258268.0 | 申请日： | 2020-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN113496868B | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | 张俊宝;陈猛 | 申请（专利权）人： | 重庆超硅半导体有限公司;上海超硅半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 400714 重庆市*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 抛光 清洗 方法 | ||
1.一种硅片的抛光后清洗方法，其特征在于，采用一种混合清洗剂，混合清洗剂由隔离保湿剂、pH调节剂、溶液C组成，混合清洗剂成分的配比范围为：隔离保湿剂5～10wt％、pH调节剂0.5～1.5wt％、溶液94.5～88.5wt％，其中，
隔离保湿剂的成分为羟基硅油M和乙腈N，M的分子式为H[(CH3)2SiO]nOH，其分子式中的n为正整数且取值范围为：3≤n≤7；N的分子式为C2H3N；M和N的质量比为M:N＝1～2:9～8；
pH调节剂的化学成分为烷基膦酸X，X的分子式为RP(O)(OH)2，其分子式中的“R”表示烷基基团且为正烷基基团，“R”基团中碳原子个数m为正整数且取值范围为8～20；
羟基硅油M中n的取值与烷基膦酸X中m的取值关系为：29-3(n+1)≤m≤29-3n；
溶液C的成分为乙醇Y与水Z，Y的分子式为C2H5OH，Z的分子式为H2O，Y和Z的质量比为Y:Z＝5～9:5～1；
将上述成分按照其配比范围配置成混合清洗剂，对抛光后的硅片进行浸没式清洗，并在浸没清洗后采用超纯水进行流动清洗。
2.根据权利要求1中所述的一种硅片的抛光后清洗方法，其特征在于，将上述成分按照其配比范围配置成混合清洗剂，抛光结束后将硅片整体浸没在混合清洗剂中，浸没时间t≤48小时；硅片经浸没清洗后，采用在25℃下电阻率大于18MΩ·cm的超纯水下进行流动清洗，超纯水流量为20-50L/h，清洗时间大于0.5-1.0h。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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