[发明专利]一种集成电路用单晶硅片碱腐蚀去除量的控制方法

权利要求书

1.一种集成电路用单晶硅片碱腐蚀去除量的控制方法，采用KOH配制碱腐蚀液；通过KOH腐蚀液浓度c，腐蚀温度T，超声波强度I和超声波频率f，来确定单晶硅片的碱腐蚀反应速率v；根据工序要求的碱腐蚀去除量D和腐蚀速度v，确定碱腐蚀所需要的理论时间t_e；根据理论时间t_e，确定实际腐蚀时间t_operation，当实际腐蚀时间t_operation在取值范围之内时，很好地满足工序生产时间和硅片质量的要求；当实际腐蚀时间t_operation不在取值范围之内时，调整工艺参数KOH腐蚀液浓度c和腐蚀温度T，使实际腐蚀时间t_operation在取值范围之内；按照实际腐蚀时间t_operation，采用所配KOH腐蚀液对单晶硅片进行腐蚀，对比实际腐蚀去除量D_get和工序要求的碱腐蚀去除量D，确认腐蚀控制效果。

2.根据权利要求1所述的集成电路用单晶硅片碱腐蚀去除量的控制方法，其特征在于，KOH碱对集成电路用单晶硅片的腐蚀速度v与KOH碱腐蚀液浓度c、腐蚀温度T和输入超声波强度I和频率f的关系为：

式中，A是常数，I是超声波强度，单位为W，f是超声波强度频率，单位为Hz，E_a是反应活化能，m是腐蚀浓度指数，n是腐蚀温度指数；

式中，k是浓度指数系数，N为腐蚀槽中放入的硅片数，V为腐蚀槽体积，

t为腐蚀时间；

式中，j是温度指数系数，N为腐蚀槽中放入的硅片数，c为碱腐蚀液浓度，t为腐蚀时间；腐蚀温度T的范围为：370～410K；超声波强度I的范围为：40～110W，超声波强度频率f的范围为：1～5GHz。

3.根据权利要求1所述的集成电路用单晶硅片碱腐蚀去除量的控制方法，其特征在于，工序要求的碱腐蚀去除量D，腐蚀速度v和碱腐蚀所需要的理论时间t_e的关系为：

4.根据权利要求1所述的集成电路用单晶硅片碱腐蚀去除量的控制方法，其特征在于，实际腐蚀时间t_operation与理论时间t_e的关系为：

实际腐蚀时间t_operation的取值范围为80～180s。

5.根据权利要求1所述的集成电路用单晶硅片碱腐蚀去除量的控制方法，其特征在于，按照实际腐蚀时间t_operation，采用所配KOH腐蚀液对单晶硅片进行腐蚀，腐蚀后对比实际腐蚀去除量D_get和工序要求的碱腐蚀去除量D，要求满足关系式(6)：

满足关系式(6)，则表明去除量控制效果优异。