[发明专利]片式天线

权利要求书

1.一种片式天线，包括：

第一基板；

第二基板，与所述第一基板叠置；

第一贴片，设置在所述第一基板的第一表面上；

第二贴片，设置在所述第二基板上；

至少一个馈电过孔，在厚度方向上贯穿所述第一基板并且被构造为向所述第一贴片提供馈电信号；以及

结合焊盘，设置在所述第一基板的与所述第一基板的所述第一表面背对的第二表面上，

其中，所述第一基板包括陶瓷烧结材料，并且

其中，所述陶瓷烧结材料包括Mg₂SiO₄相、MgAl₂O₄相和CaTiO₃相，并且所述陶瓷烧结材料中的所述CaTiO₃相的含量在5.1mol％至15.1mol％的范围内。

2.根据权利要求1所述的片式天线，其中，所述第一贴片是馈电贴片，并且所述第二贴片是辐射贴片。

3.根据权利要求1所述的片式天线，其中，所述第一基板具有在28GHz下为7.5至15.6的介电常数。

4.根据权利要求1所述的片式天线，其中，所述陶瓷烧结材料是MgO颗粒、SiO₂颗粒、Al₂O₃颗粒和CaTiO₃颗粒的混合物的烧结材料。

5.根据权利要求4所述的片式天线，其中，所述混合物中的所述CaTiO₃颗粒的含量在12重量％至33重量％的范围内。

6.根据权利要求5所述的片式天线，其中，所述混合物中的所述MgO颗粒的含量在38.5mol％至50.2mol％的范围内。

7.根据权利要求5所述的片式天线，其中，所述混合物中的所述SiO₂颗粒的含量在28.0mol％至35.6mol％的范围内。

8.根据权利要求5所述的片式天线，其中，所述混合物中的所述Al₂O₃颗粒的含量在7.0mol％至9.1mol％的范围内。

9.根据权利要求1所述的片式天线，其中，所述第二基板利用与所述第一基板相同的材料形成。

10.根据权利要求1所述的片式天线，其中，所述第一基板的厚度对应于所述第二基板的厚度的二倍至三倍。

11.根据权利要求1所述的片式天线，其中，所述第一基板具有150μm至500μm的厚度。

12.根据权利要求1所述的片式天线，其中，所述第二基板具有50μm至200μm的厚度。

13.根据权利要求1所述的片式天线，所述片式天线还包括：

间隔件，所述间隔件设置在所述第一基板与所述第二基板之间。

14.根据权利要求1所述的片式天线，所述片式天线还包括：

结合层，所述结合层设置在所述第一基板与所述第二基板之间。

15.根据权利要求14所述的片式天线，其中，所述结合层具有比所述第一基板的介电常数和所述第二基板的介电常数低的介电常数。

16.一种片式天线，包括：

第一基板；

第二基板，与所述第一基板叠置；以及

结合层，设置在所述第一基板的第一表面上，并且设置在所述第二基板的第二表面上，其中，所述第二基板的所述第二表面与所述第一基板的所述第一表面相对，

其中，所述结合层的介电常数低于所述第一基板的介电常数和所述第二基板的介电常数，

其中，所述第一基板包括陶瓷烧结材料，并且

其中，所述陶瓷烧结材料包括Mg₂SiO₄相、MgAl₂O₄相和CaTiO₃相，并且所述陶瓷烧结材料中的所述CaTiO₃相的含量在5.1mol％至15.1mol％的范围内。