[发明专利]一种纳米森林吸气剂的制备工艺

权利要求书

1.一种纳米森林吸气剂的制备工艺，其特征是，所述制备工艺包括如下步骤：

步骤1、提供衬底（1），并利用所述衬底（1）制备得到所需的衬底纳米森林结构，所述衬底纳米森林结构包括若干分布于衬底（1）上的衬底纳米柱（4）；

步骤2、对上述衬底（1）上所需部分的衬底纳米柱（4）或衬底（1）上所有的衬底纳米柱（4）电镀金属层，以得到覆盖相应衬底纳米柱（4）上的柱体金属层（5）；

所述柱体金属层（5）为钨、钽、钼、锆、钙、钡中的一种，所述柱体金属层（5）的厚度为50nm~1000nm；

所述衬底（1）包括硅衬底、SOI衬底、玻璃衬底或石英衬底；

所述衬底纳米柱（4）呈锥状，衬底纳米柱（4）的底部直径为150nm~200nm，衬底纳米柱（4）的尖端直径为10nm~30nm，衬底纳米柱（4）的高度为800~900nm；

步骤2中，选择性地在衬底（1）上方电镀得到柱体金属层（5）时，在衬底（1）上方设置一掩模版，利用掩模版进行电镀时，以得到覆盖相应衬底纳米柱（4）上的柱体金属层（5）。

2.一种纳米森林吸气剂的制备工艺，其特征是，所述制备工艺包括如下步骤：

步骤a、提供衬底（1），并在所述衬底（1）上电镀得到衬底金属层（11），所述衬底金属层（11）覆盖在衬底（1）上；

步骤b、在上述衬底金属层（11）上设置金属上聚合物层（9），所述金属上聚合物层（9）覆盖在衬底金属层（11）上；

步骤c、对上述金属上聚合物层（9）进行等离子体轰击，以对金属上聚合物层（9）进行图形化，得到若干位于衬底金属层（11）上的金属上聚合物纳米柱；

步骤d、利用上述金属上聚合物纳米柱作为掩蔽，对衬底金属层（11）进行刻蚀，以在衬底（1）上制备得到若干金属纳米柱（10）；

步骤e、去除金属上聚合物层（9），以通过金属纳米柱（10）在衬底（1）形成金属纳米森林结构；

所述衬底金属层（11）为钨、钽、钼、锆、钙、钡中的一种，衬底金属层（11）的厚度800nm~1000nm；

所述金属上聚合物层（9）的材料包括正性光刻胶、负性光刻胶或聚酰亚胺，金属上聚合物层（9）的厚度为3μm~5μm；

所述金属纳米柱（10）呈锥状，金属纳米柱（10）的底部直径为150nm~200nm，金属纳米柱（10）的尖端直径为10nm~30nm，金属纳米柱（10）的高度为800nm~900nm；

所述衬底（1）包括硅衬底、SOI衬底、玻璃衬底或石英衬底。