[发明专利]一种片层Sb@Sb-In-S@rGO钠离子电池负极材料及其制备方法有效
| 申请号： | 202010254793.5 | 申请日： | 2020-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN111554886B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 杨婷;余向林;王文磊;胡新宇;李瑞雪 | 申请（专利权）人： | 中南林业科技大学 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/054;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 长沙朕扬知识产权代理事务所(普通合伙) 43213 | 代理人： | 刘向丹 |
| 地址： | 410000 *** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sb in rgo 钠离子 电池 负极 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种片层Sb@Sb-In-S@rGO钠离子电池负极材料的制备方法，其特征在于，包括下述的步骤：
S1. 先将铟盐、氧化石墨烯和吡啶在溶剂中搅拌形成前驱体，然后将硫源和前驱体混合进行水热反应，制备片层结构的In2S3/rGO复合材料；
S2. 将锑盐与S1得到的In2S3/rGO复合材料在溶液中进行离子交换反应得到Sb-In-S@rGO复合材料；
S3. 将S2得到的Sb-In-S@rGO复合材料进行退火处理，得到片层Sb@Sb-In-S@rGO钠离子电池负极材料。
2.根据权利要求1所述的片层Sb@Sb-In-S@rGO钠离子电池负极材料的制备方法，其特征在于，所述铟盐为硝酸铟、三氯化铟或氯化亚铟中的一种或多种；所述硫源为硫脲、半胱甘酸或硫代乙酰胺中的一种或多种；所述锑盐为三氯化锑和/或醋酸锑。
3.根据权利要求1所述的片层Sb@Sb-In-S@rGO钠离子电池负极材料的制备方法，其特征在于，所述铟盐与氧化石墨烯质量比范围为(1-3)：1。
4.根据权利要求1所述的片层Sb@Sb-In-S@rGO钠离子电池负极材料的制备方法，其特征在于，所述硫源与铟盐的物质的量比范围为(2-4)：1。
5.根据权利要求1所述的片层Sb@Sb-In-S@rGO钠离子电池负极材料的制备方法，其特征在于，所述搅拌温度为20-50℃，搅拌时间为3-6 h。
6.根据权利要求1所述的片层Sb@Sb-In-S@rGO钠离子电池负极材料的制备方法，其特征在于，所述水热反应温度为160-180℃，反应时间为3-10 h。
7.根据权利要求1所述的片层Sb@Sb-In-S@rGO钠离子电池负极材料的制备方法，其特征在于，所述离子交换反应的反应温度为40-80℃，反应时间为0.1-2 h。
8.根据权利要求1所述的片层Sb@Sb-In-S@rGO钠离子电池负极材料的制备方法，其特征在于，所述退火处理气氛为惰性气氛，退火处理温度为400-600℃，退火处理时间为2-4h。
9.一种片层Sb@Sb-In-S@rGO钠离子电池负极材料，其特征在于，采用权利要求1～8任一项所述方法制备得到。
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