[发明专利]一种温湿度传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种温湿度传感器的制造方法，其特征在于，包括：制造一器件结构，以及利用所述器件结构制造温湿度传感器；其中，

制造所述器件结构的方法包括：

提供一底层金属层，并在所述底层金属层上自下而上依次形成介质层和顶层金属层；所述顶层金属层包括多个横向间隔排布的顶层金属块；

利用四乙基氧化硅沉积工艺沿着各所述顶层金属块的侧壁沉积二氧化硅材料，并延伸至各所述顶层金属块的顶壁上，直至相邻两个所述顶层金属块的顶壁上的二氧化硅材料相接，所有沉积的二氧化硅材料构成一钝化层；

进行护层沉积，所述护层覆盖所述钝化层的顶部表面。

2.根据权利要求1所述的温湿度传感器的制造方法，其特征在于，所述介质层的材料为二氧化硅。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述护层的材料为氮化硅。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述利用所述器件结构制造温湿度传感器的方法包括：

刻蚀以去除所述护层和所述钝化层；

进行介电层沉积，所述介电层覆盖相邻所述顶层金属块之间的第一沟槽的底壁和侧壁，并延伸至各所述顶层金属块的顶壁上，以形成第二沟槽。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，在对所述护层和所述钝化层进行刻蚀时，所述利用所述器件结构制造温湿度传感器的方法还包括：

刻蚀部分所述介质层，以使所述介质层的露出部分的表面高度低于所述顶层金属块的底面高度。

6.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述介电层的材料为二氧化硅。

7.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述介电层的材料为氮化硅或聚酰亚胺。

8.一种利用如权利要求4～7任一种所述的制造方法所制造的温湿度传感器，其特征在于，所述温湿度传感器包括自下而上依次层叠的底层金属层、介质层、顶层金属层和介电层；所述顶层金属层包括多个横向间隔排布的顶层金属块；所述介电层覆盖相邻所述顶层金属块之间的第一沟槽的底壁和侧壁，并延伸覆盖各所述顶层金属块的顶壁。

9.根据权利要求8所述的温湿度传感器，其特征在于，所述介质层的材料为二氧化硅。

10.根据权利要求8所述的温湿度传感器，其特征在于，所述介电层的材料为二氧化硅、氮化硅或聚酰亚胺。