[发明专利]一种时域反射计的特性阻抗时域分段校准方法有效
| 申请号: | 202010249939.7 | 申请日: | 2020-04-01 |
| 公开(公告)号: | CN111352059B | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
| 发明(设计)人: | 曹勇;文红;涂杨;梁浩;叶振;王瀚磊 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
| 主分类号: | G01R35/00 | 分类号: | G01R35/00 |
| 代理公司: | 成都巾帼知识产权代理有限公司 51260 | 代理人: | 邢伟 |
| 地址: | 610000 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 时域 反射 特性 阻抗 分段 校准 方法 | ||
1.一种时域反射计的特性阻抗时域分段校准方法,其特征在于:包括以下步骤:
S1.保存分段校准初始参数及对应关系;所述分段校准初始参数包括分界点反射系数ρ,被测阻抗值范围Z、校准参考阻抗和时域反射计的校准、测量区域选定范围:
当-1≤ρ≤-0.5时,被测阻抗值范围为0≤Z≤15Ω,校准参考阻抗为12.5Ω,时域反射计的校准、测量区域选定范围为65%~85%或者60%~80%;
当-0.5ρ≤-0.2时,被测阻抗值范围为15ΩZ≤35Ω,校准参考阻抗为25Ω,时域反射计的校准、测量区域选定范围为65%~85%或者60%~80%;
当-0.2ρ≤0.15时,被测阻抗值范围为35ΩZ≤65Ω,校准参考阻抗为50Ω,时域反射计的校准、测量区域选定范围为50%~70%;
当0.15ρ≤0.25时,被测阻抗值范围为65ΩZ≤85Ω,校准参考阻抗为75Ω,时域反射计的校准、测量区域选定范围为50%~70%;
当0.25ρ≤0.45时,被测阻抗值范围为85ΩZ≤130Ω,校准参考阻抗为100Ω,时域反射计的校准、测量区域选定范围为65%~85%或者60%~80%;
当0.45ρ≤0.54时,被测阻抗值范围为130ΩZ≤170Ω,校准参考阻抗为150Ω,时域反射计的校准、测量区域选定范围为65%~85%或者60%~80%;
当0.54ρ≤0.6时,被测阻抗值范围为170ΩZ≤200Ω,校准参考阻抗为180Ω,时域反射计的校准、测量区域选定范围为65%~85%或者60%~80%;
当0.6ρ+∞时,被测阻抗值范围为200ΩZ+∞,校准参考阻抗为220Ω,时域反射计的校准、测量区域选定范围为65%~85%或者60%~80%;
S2.初始化时域反射计,使其能够测量并显示出空气线校准件的全部长度;
S3.获取反射系数-0.5ρ≤0.15范围内的校准参数:
S301.获取参考校准件参数:进入校准状态,选择校准模式,将一同轴电缆连接到时域反射计上,保持末端开路;测量开路脉冲上升沿幅度为50%的中点,作为校准件时间测量的起点t1,Std;
选择25Ω空气线作为参考校准件,已知准确特性阻抗值为Zstd,25,连接的25Ω空气线到电缆上,测量此时开路脉冲上升沿幅度为50%的中点,作为参考校准件时间测量的终点t2,25;
计算25Ω校准件的总长度对应的时间Trt,25:Trt,25=t2,25-t1,Std;
选择25Ω校准件的总长度对应的时间Trt,25的65%-85%段或者60%~80%段作为计算25Ω特性阻抗的区域Tif,25,测量Tif,25区域内的反射电压幅度的平均值Vstd,25;
S302.获取基准校准件参数:选择50Ω空气线作为基准校准件,取掉25Ω空气线,连接的50Ω空气线到电缆上,已知其准确特性阻抗值为Zstd,50;
测量此时开路脉冲上升沿幅度为50%的中点,作为参考校准件时间测量的终点t2,50;
计算50Ω校准件的总长度对应的时间Trt,50:Trt,50=t2,50-t1,Std;
选择50Ω校准件的总长度对应的时间Trt,50的50%-70%时间段为计算50Ω特性阻抗的区域Tif,50,测量Tif,50区域内的反射电压幅度的平均值Vstd,50;
S303.计算接入25Ω校准件的反射系数:Vr,25=Vstd,25-Vstd,50;
S304.计算等效入射脉冲电压幅度:
S305.存储步骤S301~S305中获得的Vstd,50、Vi,g50作为校准参数,当前50Ω和25Ω校准完成,即反射系数-0.5ρ≤0.15校准完成,对应的被测件阻抗范围为15ΩZ≤65Ω;
S4.获取反射系数0.15ρ≤0.25范围内的校准参数;
S401.取掉50Ω空气线,连接75Ω空气线,已知其准确特性阻抗值为Zstd,75,75Ω空气线作为参考校准件继续校准,
测量此时开路脉冲上升沿幅度为50%的中点,作为参考校准件时间测量的终点t2,75;
计算75Ω校准件的总长度对应的时间Trt,75:Trt,75=t2,75-t1,Std;
选择75Ω校准件的总长度对应的时间Trt,75的50%-70%段为计算75Ω特性阻抗的区域Tif,75,测量Tif,75区域内的反射电压幅度平均值Vstd,75;
S402.计算接入75Ω校准件的反射系数:Vr,75=Vstd,75-Vstd,50;
S403.计算等效入射脉冲电压幅度:
S404.存储步骤S401~S404获得的Vstd,75、Vi,g75作为校准参数,当前75Ω校准完成,即反射系数0.15ρ≤0.25范围内校准完成,对应的被测件阻抗范围为65ΩZ≤85Ω;
S5.将75Ω空气线分别换成12.5Ω、100Ω、150Ω、180Ω和220Ω,执行步骤S401~S404,得到不同反射系数范围内的校准参数;
S6对被测件进行测试,得到被测件的特性阻抗。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010249939.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





