[发明专利]一种用于电子和质子能谱测量的磁铁结构及方法

权利要求书

1.一种用于电子和质子能谱测量的磁铁结构，其特征在于，包括：

磁铁本体，所磁铁本体包括一个半圆形体，所述半圆形体产生一个半圆形磁场，电子或质子以平行于直边的初速度方向进入所述半圆形磁场。

2.根据权利要求1所述的一种用于电子和质子能谱测量的磁铁结构，其特征在于，所述半圆形磁场内的磁场为均匀磁场。

3.根据权利要求1所述的一种用于电子和质子能谱测量的磁铁结构，其特征在于，所述半圆形磁场的磁场强度B为0.1-0.8T。

4.根据权利要求1所述的一种用于电子和质子能谱测量的磁铁结构，其特征在于，所述半圆形磁场的磁场强度B为0.3T。

5.根据权利要求1所述的一种用于电子和质子能谱测量的磁铁结构，其特征在于，所述半圆形体的半径为500mm。

6.根据权利要求1所述的一种用于电子和质子能谱测量的磁铁结构，其特征在于，电子进入所述半圆形磁场呈圆弧轨迹运动，且该圆弧轨迹的凹面与所述半圆形体的凹面相对。

7.根据权利要求1所述的一种用于电子和质子能谱测量的磁铁结构，其特征在于，以进入点为原点，所述电子或所述质子在所述磁场中的运动轨迹半径符合R＝10/3*((E^2+2E*0.511)^0.5)/B。

8.根据权利要求1所述的一种用于电子和质子能谱测量的磁铁结构，其特征在于，所述磁铁本体包括固定部、半圆形体和半圆形开槽，所述半圆形开槽将所述半圆体分为上下两层，所述固定部与所述半圆形体的直边连接将上下两层所述半圆形体连接为一体，上下两层所述半圆形体在所述半圆形开槽内形成所述半圆形磁场，所述电子或所述质子从所述半圆形开槽进入所述半圆形磁场。

9.根据权利要求8所述的一种用于电子和质子能谱测量的磁铁结构，其特征在于，所述固定部连接在所述半圆形体的一角使所述磁铁本体具有一个方便电子进入的缺口。

10.一种用于电子和质子能谱测量的方法，其特征在于，包括以下步骤：

向超高真空空间内发射电子或质子，通过电子能量分析器和检测器获取该电子或质子的能谱，通过工控机进行分析，其中，在电子能量分析器中使所述电子或所述质子进入一个半圆形磁场，并且以平行于所述半圆形磁场的直边的初速度方向进入并从所述半圆形磁场的曲边射出。