[发明专利]具有散热结构的高电阻晶片及其制作方法

权利要求书

1.一种利用晶背导电垫散热的半导体结构，其特征在于，该半导体结构包含：

元件晶片，包含正面和背面；

晶体管，设置于该正面，其中该晶体管包含栅极结构、源极和漏极；

层间介电层，设置于该正面，并且覆盖该晶体管；

第一金属层和第二金属层，设置于该层间介电层内；

第一导电插塞，位于该层间介电层中并且接触该源极和该第一金属层；

第二导电插塞，位于该层间介电层中并且接触该漏极和该第二金属层；

晶背栅极、源极导电垫和漏极导电垫设置于该背面，其中该晶背栅极的上表面、该源极导电垫的上表面和该漏极导电垫的上表面切齐；

第一穿孔插塞，穿透该元件晶片以接触该第一金属层，该第一穿孔插塞接触该源极导电垫以电连接该源极导电垫和该源极；

第二穿孔插塞，穿透该元件晶片以接触该第二金属层，该第二穿孔插塞接触该漏极导电垫以电连接该漏极导电垫和该漏极；

第四导电插塞设置于该背面，其中该第四导电插塞接触该晶背栅极；以及

第二导电垫设置于该背面，其中该第二导电垫接触该第四导电插塞。

2.如权利要求1所述的利用晶背导电垫散热的半导体结构，其中该漏极导电垫和该漏极重叠，该源极导电垫和该源极重叠。

3.如权利要求1所述的利用晶背导电垫散热的半导体结构，另包含浅沟槽绝缘，设置于该晶体管的周围，该源极导电垫覆盖该浅沟槽绝缘。

4.如权利要求1所述的利用晶背导电垫散热的半导体结构，另包含：

第三导电插塞和第五导电插塞设置于该背面，其中该第三导电插塞接触该源极导电垫，该第五导电插塞接触该漏极导电垫；以及

第一导电垫和第三导电垫设置于该背面，其中该第一导电垫接触该第三导电插塞，该第三导电垫接触该第五导电插塞。

5.如权利要求1所述的利用晶背导电垫散热的半导体结构，其中该元件晶片包含元件区和边缘区，该边缘区环绕该元件区，该晶体管设置于该元件区。

6.如权利要求5所述的利用晶背导电垫散热的半导体结构，另包含：

高电阻晶片，包含散热结构区和元件承载区，其中该高电阻晶片由绝缘材料组成；

金属结构，仅埋入于该高电阻晶片的该散热结构区，其中该金属结构环绕该元件承载区；

介电层，接触并包覆该高电阻晶片，其中该介电层和在该正面上的该层间介电层接合，该散热结构区和该边缘区重叠，该元件区和该元件承载区完全重叠。

7.如权利要求5所述的利用晶背导电垫散热的半导体结构，另包含：

高电阻晶片，由绝缘材料组成；

介电层，接触并包覆该高电阻晶片，其中该介电层和在该正面上的该层间介电层接合。

8.一种利用晶背导电垫散热的半导体结构的制作方法，包含：

提供元件晶片，包含正面和背面，其中：

晶体管设置于该正面，其中该晶体管包含栅极结构、源极和漏极；

层间介电层设置于该正面，并且覆盖该晶体管；

第一金属层和第二金属层设置于该层间介电层内；

第一导电插塞位于该层间介电层中并且接触该源极和该第一金属层；

第二导电插塞位于该层间介电层中并且接触该漏极和该第二金属层；

形成晶背栅极、源极导电垫和漏极导电垫，设置于该背面，其中该晶背栅极的上表面、该源极导电垫的上表面和该漏极导电垫的上表面切齐；

形成第一穿孔插塞，穿透该元件晶片以接触该第一金属层，该第一穿孔插塞接触该源极导电垫以电连接该源极导电垫和该源极；

形成第二穿孔插塞，穿透该元件晶片以接触该第二金属层，该第二穿孔插塞接触该漏极导电垫以电连接该漏极导电垫和该漏极；

形成第四导电插塞设置于该背面，其中该第四导电插塞接触该晶背栅极；以及

形成第二导电垫设置于该背面，其中该第二导电垫接触该第四导电插塞。