[发明专利]一种过温保护电路、方法和充电装置

权利要求书

1.一种过温保护电路，其特征在于，包括：

温度检测模块，用于检测充电输出端处的温度状态数据；

控制模块，与所述温度检测模块电连接，用于根据所述温度状态数据和预设温度状态数值控制充电回路的通断状态。

2.根据权利要求1所述的过温保护电路，其特征在于：

所述温度检测模块包括：负温度系数的热敏电阻，所述热敏电阻与所述控制模块连接，用于检测所述充电输出端处的温度状态数据并传递给所述控制模块。

3.根据权利要求2所述的过温保护电路，其特征在于，控制模块包括：

第一处理单元，用于将所述热敏电阻所检测到的温度状态数值与所述预设温度状态数值比较，在温度值超过预设温度阈值，或温度变化斜率超过预设斜率阈值时，控制断开所述充电回路；

其中，所述温度状态数据包括所述温度值和温度变化斜率，所述预设温度状态数值包括所述预设温度阈值和预设斜率阈值。

4.根据权利要求3所述的过温保护电路，其特征在于：所述过温保护电路设置于充电输出端处，且以串联方式接入所述充电回路。

5.根据权利要求4所述的过温保护电路，其特征在于：

所述第一处理单元包括：第一过温保护芯片，所述第一过温保护芯片内部集成有第一N型MOS管和控制子单元；

所述控制子单元的第一控制引脚与第一电阻的一端连接，所述第一电阻的另一端分别与所述控制子单元的第二控制引脚、第一热敏电阻的一端连接后接地；

所述控制子单元的第三控制引脚与第二电阻连接后接地，所述控制子单元的第四控制引脚与所述第一N型MOS管的栅极连接；

所述第一N型MOS管的漏极和所述控制子单元的电源输入引脚分别与所述充电输出端的第一极性PIN脚连接；

所述第一N型MOS管的源极和所述控制子单元的电源输出引脚分别与被充电设备充电输入端的第一极性PIN脚连接。

6.根据权利要求7所述的过温保护电路，其特征在于，还包括：插拔提示模块，所述插拔提示模块包括：第一发光二极管和第一P型MOS管；

所述第一发光二极管的阳极和阴极分别与充电输出端的第一极性PIN脚、所述第一P型MOS管的源极连接；

所述第一P型MOS管的漏极接地，所述第一P型MOS管的栅极与被充电设备充电输入端的第一极性PIN脚连接。

7.根据权利要求4所述的过温保护电路，其特征在于：

所述第一处理单元包括：第二过温保护芯片和第二N型MOS管；

所述第二过温保护芯片的数据输入引脚用于写入所述预设温度阈值和预设斜率阈值；

所述第二过温保护芯片的第一控制引脚与所述第二N型MOS管的栅极连接；

所述第二过温保护芯片的第二控制引脚分别与第二热敏电阻和第三电阻的一端连接；

所述第三电阻的另一端分别与所述第二N型MOS管的源极、被充电设备充电输入端的第一极性PIN脚连接；

所述第二热敏电阻的另一端分别与所述第二过温保护芯片的接地引脚、所述充电输出端的第二极性PIN脚以及被充电设备充电输入端的第二极性PIN脚连接；

所述第二N型MOS管的漏极和所述第二过温保护芯片的电源输入引脚分别与所述充电输出端的第一极性PIN脚连接。

8.根据权利要求7所述的过温保护电路，其特征在于，所述插拔提示模块包括：第二发光二极管和第三N型MOS管；

所述第二发光二极管的阳极和阴极分别与充电输出端的第一极性PIN脚、所述第三N型MOS管的漏极连接；

所述第三N型MOS管的源极与充电输出端的第二极性PIN脚连接，所述第三N型MOS管的栅极与所述第二过温保护芯片的第三控制引脚连接。

9.根据权利要求2所述的过温保护电路，其特征在于，控制模块包括：

第二处理单元，用于将所述热敏电阻所检测到的温度值对应的电压数据与预设温度阈值对应的基准电压比较，在所述电压数据超过所述基准电压时控制断开所述充电回路。