[发明专利]一种硅柱晶圆光刻方法

权利要求书

1.一种硅柱晶圆光刻方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1)、对硅片衬底表面进行除杂预处理；

步骤2)、在除杂预处理后的硅片衬底表面进行光刻涂胶工艺形成一层光刻胶感光层；

步骤3)、将带有光刻胶感光层的硅片衬底表面均分成多个区域，从其中一个区域按设定曝光视场值开始进行曝光，然后将多个区域按照设定移动距离依次移动至曝光镜头下进行曝光，完成硅片衬底的光刻胶感光层的光刻曝光，设定曝光视场值比按掩模板上图形大小预定的曝光视场值大30μm～60μm，设定移动距离比均分区域大0.3μm～0.5μm，旋转曝光的旋转值为-5μrad～5μrad；

步骤4)、对光刻曝光的硅片衬底进行光刻显影工艺，形成硅柱图形。

2.根据权利要求1所述的一种硅柱晶圆光刻方法，其特征在于，步骤1)具体方法为将硅片衬底浸泡在清洗液中，时间为8min～12min，温度为110℃～130℃。

3.根据权利要求2所述的一种硅柱晶圆光刻方法，其特征在于，清洗液为质量比为4:1的硫酸和双氧水混合物。

4.根据权利要求3所述的一种硅柱晶圆光刻方法，其特征在于，硫酸采用浓硫酸，其中硫酸浓度为98％，双氧水浓度为30％。

5.根据权利要求1所述的一种硅柱晶圆光刻方法，其特征在于，步骤2)具体包括以下步骤：

首先在除杂预处理后的硅片衬底表面通过气相成底膜；

然后在后成膜后的硅片衬表面滴加光刻胶，加速硅片衬表旋转速度至3500rpm～4500rpm，使光刻胶伸展到整个硅片衬表表面，甩去多余的光刻胶，在硅片衬表上得到均匀的光刻胶胶膜覆盖层；

最后将硅片通过热板采用热传导方式加热，去除光刻胶中多余的水分。

6.根据权利要求5所述的一种硅柱晶圆光刻方法，其特征在于，气相成底膜具体为：将六甲基二硅胺烷加热形成气体，由氮气携带至硅片衬表面后成膜。

7.根据权利要求5所述的一种硅柱晶圆光刻方法，其特征在于，热板温度为140℃～150℃，时间为85S～95S。

8.根据权利要求1所述的一种硅柱晶圆光刻方法，其特征在于，步骤4)中，将光刻曝光后的硅片衬在135℃～145℃下烘焙85S～95S，然后将显影液滴至光刻曝光后的硅片衬底表面完成显影，光刻胶被显影液溶解后，用去离子水清洗硅片衬底，最后对硅片衬底进行高速甩干，最后在135℃～145℃下再烘焙85S～95S。

9.根据权利要求8所述的一种硅柱晶圆光刻方法，其特征在于，将硅片衬底表面的去离子水甩干，硅片衬底甩干转速为3500rmp～4500rmp。

10.根据权利要求1所述的一种硅柱晶圆光刻方法，其特征在于，硅片衬底采用晶向111的N型硅片，硅片衬底电阻率为8-13Ω·cm。