[发明专利]微区下发光件的外量子效率检测系统及其检测方法在审
| 申请号: | 202010245645.7 | 申请日: | 2020-03-31 |
| 公开(公告)号: | CN111323408A | 公开(公告)日: | 2020-06-23 |
| 发明(设计)人: | 洪少欣;贺晓龙;周燕飞;殷海玮 | 申请(专利权)人: | 上海复享光学股份有限公司 |
| 主分类号: | G01N21/66 | 分类号: | G01N21/66;G01J3/443 |
| 代理公司: | 上海唯源专利代理有限公司 31229 | 代理人: | 季辰玲 |
| 地址: | 200433 上海市杨浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 微区下 发光 量子 效率 检测 系统 及其 方法 | ||
1.一种微区下发光件的外量子效率检测系统,其特征在于,包括:
接收光路,包括用于采集入射光线的第一显微物镜及用于测定所述入射光线的光强的第一检测装置,所述第一检测装置对准于所述第一显微物镜的后端;
用于获取所述接收光路对不同频率的入射光线的响应函数的标定设备,包括用于发射不同频率光线的光源、用于将所述不同频率光线汇聚于所述第一显微物镜的前端的焦平面上的聚光件、用于将汇聚于所述焦平面上的所述不同频率光线导入所述第一显微物镜的前端的传导件和用于测定汇聚于所述焦平面上的所述不同频率光线的光谱强度分布的第二检测装置,所述聚光件的第一端对准于所述光源,所述聚光件的第二端对准于所述焦平面,所述传导件设置于所述焦平面;以及
用于测定待测发光件的发光时的电流的第三检测装置。
2.根据权利要求1所述的微区下发光件的外量子效率检测系统,其特征在于,所述接收光路还包括耦合件,所述耦合件对准于所述第一显微物镜的后端,所述第一检测装置对准于所述耦合件。
3.根据权利要求1所述的微区下发光件的外量子效率检测系统,其特征在于,所述传导件为透光介质,所述聚光件为第二显微物镜,所述第二显微物镜的后端对准所述光源,所述第二显微物镜的前端与所述第一显微物镜的前端相对设置并且所述第二显微物镜的焦平面与所述第一显微物镜的焦平面重合。
4.根据权利要求1所述的微区下发光件的外量子效率检测系统,其特征在于,所述传导件为反射元件,所述聚光件为第三显微物镜,所述第三显微物镜的后端对准所述光源,所述第三显微物镜的前端与所述第一显微物镜的前端相对设置,所述第三显微物镜的焦平面、所述第一显微物镜的焦平面及所述反射元件的反射面同时相较于一直线。
5.根据权利要求4所述的微区下发光件的外量子效率检测系统,其特征在于,所述第三显微物镜的焦平面、所述第一显微物镜的焦平面及所述反射元件的反射面三者重合,所述第一显微物镜与所述第三显微物镜为同一显微物镜。
6.根据权利要求4所述的微区下发光件的外量子效率检测系统,其特征在于,所述反射元件为镜面反射元件或漫反射元件。
7.根据权利要求1所述的微区下发光件的外量子效率检测系统,其特征在于,所述第一检测装置为光电式光强检测装置。
8.根据权利要求7所述的微区下发光件的外量子效率检测系统,其特征在于,所述光电式光强检测装置为光谱仪、亮度计、功率计、CCD、CMOS、PMT、单光子探测器中的任意一种。
9.一种微区下发光件的外量子效率检测方法,其特征在于,包括以下步骤:
光源发射不同频率光线,将所述不同频率光线汇聚于第一显微物镜的前端的焦平面上;
测定汇聚于所述焦平面上的所述不同频率光线的光谱强度分布;
将传导件设置于所述焦平面上,所述传导件将所述不同频率光线导入所述第一显微物镜的前端,所述不同频率光线经由所述第一显微物镜的后端射出,测定射出的所述不同频率光线的光强;
计算获得所述接收光路对不同频率光线的响应函数;
于所述焦平面放置待测发光件并对所述待测发光件通电,使得所述待测发光件发光产生入射光线,所述入射光线射入所述第一显微物镜的前端并经由所述第一显微物镜的后端射出,测定射出的所述入射光线的光强;
计算获得所述待测发光件的发光光谱强度分布;
测定所述待测发光件的发光时的电流值;
获得所述待测发光件的外量子效率。
10.根据权利要求9所述的检测方法,其特征在于,所述获得所述待测发光件的外量子效率的步骤包括:
获取所述待测发光件的不同角度的发光光谱强度分布以及所述第一显微物镜的接收角度,获得所述待测发光件的真实发光光谱强度分布;
根据所述待测发光件的真实发光光谱强度分布和电流值,计算获得所述待测发光件的外量子效率。
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