[发明专利]发光器件及发光器件的制备方法

权利要求书

1.一种发光器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：准备钙钛矿前体液，准备所述发光器件的功能基板，将所述钙钛矿前体液覆盖于所述功能基板的上表面，得到钙钛矿前体液态层，对所述钙钛矿前体液态层进行加热，从而形成包括纳米片的钙钛矿发光层；其中，所述准备钙钛矿前体液包括：将至少一种芳香族化合物、第一阳离子化合物和第二阳离子化合物溶解于第一极性溶剂中得到第一溶液，将锂离子化合物溶解于第二极性溶剂得到第二溶液，将所述第一溶液和所述第二溶液按照一定比例混合得到第三溶液，将所述第三溶液稀释或者不稀释得到所述钙钛矿前体液；其中，所述芳香族化合物具有苯或者萘的基本结构，且所述芳香族化合物具有烷基胺取代基及卤素取代基；所述第一阳离子化合物中的第一阳离子选自铯离子、甲胺离子、甲脒离子中的一种或多种，所述第二阳离子化合物中的第二阳离子选自铅离子、锡离子中的一种或两种，调节所述芳香族化合物在所述钙钛矿前体液中的摩尔比例从而调节所述钙钛矿发光层中所述纳米片的平行于所述功能基板的水平偶极比例，使得所述水平偶极比例为大于67％。

2.根据权利要求1所述的发光器件的制备方法，其特征在于，所述钙钛矿前体液中所述芳香族化合物、所述第一阳离子化合物、所述第二阳离子化合物、所述锂离子化合物的摩尔浓度比为(0.5～1.5)：1.75：1.4：0.25。

3.根据权利要求1所述的发光器件的制备方法，其特征在于，所述烷基胺取代基为甲胺基、丙胺基、乙胺基或者丁胺基。

4.根据权利要求3所述的发光器件的制备方法，其特征在于，所述卤素取代基为溴。

5.根据权利要求1～4任一项所述的发光器件的制备方法，其特征在于，所述芳香族化合物包括溴苯丁胺和溴苯乙胺，所述溴苯丁胺和所述溴苯乙胺的摩尔比小于等于3：1。

6.根据权利要求1所述的发光器件的制备方法，其特征在于，所述第一阳离子化合物、所述第二阳离子化合物和所述锂离子化合物中的阴离子均为卤素离子。

7.根据权利要求6所述的发光器件的制备方法，其特征在于，所述卤素离子为溴。

8.根据权利要求1所述的发光器件的制备方法，其特征在于，所述加热的温度范围为85～130℃。

9.根据权利要求1所述的发光器件的制备方法，其特征在于，将所述第三溶液用所述第一极性溶剂或所述第二极性溶剂稀释。

10.根据权利要求9所述的发光器件的制备方法，其特征在于，所述第一极性溶剂和所述第二极性溶剂均为二甲基亚砜。

11.根据权利要求1所述的发光器件的制备方法，其特征在于，准备所述发光器件的功能基板的过程包括：准备含第一电极层的基板，在所述第一电极层上设置空穴注入层，在所述空穴注入层上设置空穴传输层。

12.根据权利要求11所述的发光器件的制备方法，其特征在于，所述空穴注入层的制备方法包括：将氧化镍前体液设置于所述第一电极层上，并加热所述氧化镍前体液得到所述空穴注入层。

13.根据权利要求12所述的发光器件的制备方法，所述空穴传输层的材料为TFB。

14.根据权利要求1所述的发光器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：在所述钙钛矿发光层上设置电子传输层，在所述电子传输层上设置第二电极层。

15.根据权利要求14所述的发光器件的制备方法，其特征在于，所述电子传输层的材料为TPBi，所述第二电极层包括氟化锂电极层和铝电极层。