[发明专利]优化发射器阵列的布局在审

专利信息
申请号: 202010241618.2 申请日: 2020-03-31
公开(公告)号: CN111799652A 公开(公告)日: 2020-10-20
发明(设计)人: A.V.巴夫;B.克斯勒;M.G.彼得斯 申请(专利权)人: 朗美通经营有限责任公司
主分类号: H01S5/183 分类号: H01S5/183;H01S5/42
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 贺紫秋
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 优化 发射器 阵列 布局
【权利要求书】:

1.一种紧密间隔发射器阵列,包括:

包括第一多个结构的第一发射器;和

与第一发射器相邻的第二发射器,其包括第二多个结构,

其中第一发射器和第二发射器被配置在发射器阵列中,使得第一多个结构和第二多个结构之间的不同类型结构不重叠,同时保持第一发射器和第二发射器之间的紧密间隔。

2.根据权利要求1所述的紧密间隔发射器阵列,其中所述第一发射器相对于所述第二发射器旋转。

3.根据权利要求1所述的紧密间隔发射器阵列,其中所述第一多个结构和所述第二多个结构共享以下中的至少一个:

p型金属延伸部,或

过孔,或

沟槽。

4.根据权利要求3所述的紧密间隔发射器阵列,其中以下中的至少一个:

包括在第一多个结构中的第一过孔与包括在第二多个结构中的第二过孔连接,

包括在第一多个结构中的第一沟槽与包括在第二多个结构中的第二沟槽连接,或者

包括在第一多个结构中的第一p型金属延伸部与包括在第二多个结构中的第二p型金属延伸部连接。

5.根据权利要求1所述的紧密间隔发射器阵列,其中所述第一多个结构包括相对于包括在所述第二多个结构中的第二数量的p型金属延伸部不同的p型金属延伸部的第一数量或者相对于包括在所述第二多个结构中的沟槽的第二数量不同的沟槽的第一数量中的至少一种,使得:

包括在第一多个结构中的p型金属延伸部和包括在第二多个结构中的沟槽不重叠,并且

包括在第一多个结构中的沟槽和包括在第二多个结构中的p型金属延伸部不重叠。

6.根据权利要求1所述的紧密间隔的发射器阵列,其中所述第一多个结构包括相对于包括在所述第二多个结构中的一个或多个沟槽形状不同的一个或多个沟槽或者相对于包括在所述第二多个结构中的一个或多个p型金属延伸部形状不同的一个或多个p型金属延伸部中的至少一种,使得:

包括在第一多个结构中的一个或多个p型金属延伸部和包括在第二多个结构中的一个或多个沟槽不重叠,并且

包括在第一多个结构中的一个或多个沟槽和包括在第二多个结构中的一个或多个p型金属延伸部不重叠。

7.根据权利要求1所述的紧密间隔的发射器阵列,其中所述第一多个结构包括相对于包括在所述第二多个结构中的一个或多个沟槽尺寸不同的一个或多个沟槽或者相对于包括在所述第二多个结构中的一个或多个p型金属延伸部尺寸不同的一个或多个p型金属延伸部中的至少一种,使得:

包括在第一多个结构中的一个或多个p型金属延伸部和包括在第二多个结构中的一个或多个沟槽不重叠,并且

包括在第一多个结构中的一个或多个沟槽和包括在第二多个结构中的一个或多个p型金属延伸部不重叠。

8.根据权利要求1所述的紧密间隔的发射器阵列,其中包括在所述第一多个结构中的过孔和沟槽之间的间隔相对于包括在所述第二多个结构中的过孔和沟槽之间的间隔不同,使得:

包括在第一多个结构中的p型金属延伸部和包括在第二多个结构中的沟槽不重叠,并且

包括在第一多个结构中的沟槽和包括在第二多个结构中的p型金属延伸部不重叠。

9.根据权利要求1所述的紧密间隔发射器阵列,其中包括在第一多个结构中的第一过孔和沟槽之间的间隔相对于包括在第一多个结构中的第二过孔和沟槽之间的间隔不同,使得:

包括在第一多个结构中的p型金属延伸部和包括在第二多个结构中的沟槽不重叠,并且

包括在第一多个结构中的沟槽和包括在第二多个结构中的p型金属延伸部不重叠。

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