[发明专利]固态参比电极及其压头装置和制备方法

权利要求书

1.一种固态参比电极，其特征在于，包括：

第一涂层、第一导电层、硅晶片、第二导电层和信号传输结构；

沿所述第一涂层至所述第二导电层的垂直方向上，所述第一涂层、所述第一导电层、所述硅晶片和所述第二导电层依次层叠；所述信号传输结构焊接在所述第二导电层上，所述第一涂层位于所述第一导电层背离所述硅晶片的一侧表面。

2.根据权利要求1所述的固态参比电极，其特征在于，还包括防水密封胶；所述防水密封胶包覆所述信号传输结构、所述第一导电层、所述硅晶片以及所述第二导电层，并漏出所述第一涂层背离所述第一导电层的一侧表面。

3.根据权利要求2所述的固态参比电极，其特征在于，所述防水密封胶包括单组分环氧胶。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的固态参比电极，其特征在于，所述第一涂层包括银以及氯化银的混合涂层。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的固态参比电极，其特征在于，所述第二导电层包括Ti、Al、Ti、Ni的叠层结构。

6.根据权利要求1-3中任一项所述的固态参比电极，其特征在于，所述第一导电层包括Pt、Pd、Ni、Au、PtSi或NiSi。

7.根据权利要求1-3中任一项所述的固态参比电极，其特征在于，所述第一导电层包括Ag层，

或者，Ti层、Cr层、Ni层中的至少一层与Ag层的叠层结构。

8.一种固态参比电极的压头装置，其特征在于，包括：如权利要求1-6任一项所述的固态参比电极；还包括：

压头和半导体基因测序芯片；

其中，所述压头中设置有用于安装所述固态参比电极的通孔，所述固态参比电极与所述通孔过盈配合安装，所述固态参比电极穿过所述通孔至所述压头的底部，所述固态参比电极中的第一涂层与所述压头的底部齐平，所述第一涂层与所述半导体基因测序芯片正对设置，并形成溶液腔体。

9.根据权利要求8所述的固态参比电极的压头装置，其特征在于，还包括：上密封垫和下密封垫，所述上密封垫位于所述压头的上方，用于与半导体基因测序仪中的液路零件连接；所述下密封垫位于所述压头的下方，环向包裹所述压头的底部。

10.一种固态参比电极的制备方法，其特征在于，用于制备如权利要求1-7任一项所述的固态参比电极，包括以下步骤：

在硅晶圆的第一表面制作第一导电层；

在所述硅晶圆的第二表面制作第二导电层；所述第一表面与所述第二表面相对；

切割所述硅晶圆形成多个硅晶片；

在所述硅晶片的所述第二导电层上焊接信号传输结构；

在所述第一导电层背离所述硅晶片的一侧表面形成第一涂层。

11.根据权利要求10所述的固态参比电极的制备方法，其特征在于，在所述硅晶圆的第二侧表面制作第二导电层之前，还包括：

在所述第一导电层背离所述硅晶圆的一侧形成光刻胶；

所述在所述第一导电层背离所述硅晶片的一侧表面形成第一涂层之前还包括：

去除所述光刻胶。

12.根据权利要求10所述的固态参比电极的制备方法，其特征在于，在所述硅晶片的所述第二导电层上焊接信号传输结构之后还包括：

形成防水密封胶；所述防水密封胶包覆所述信号传输结构、所述第一导电层、所述硅晶片，并漏出所述第一导电层背离所述硅晶片的一侧表面。

13.根据权利要求12述的固态参比电极的制备方法，其特征在于，在形成防水密封胶之后还包括：

在第一预设负压下抽真空，并在第一预设温度下加热处理。