[发明专利]银纳米片团簇阵列及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202010235411.4 申请日: 2020-03-30
公开(公告)号: CN111421133B 公开(公告)日: 2022-01-21
发明(设计)人: 何辉;程建祥;范璐瑶;杨金彭;曾祥华 申请(专利权)人: 扬州大学
主分类号: B22F1/054 分类号: B22F1/054;B22F1/068;B22F9/24;G01N21/65
代理公司: 南京理工大学专利中心 32203 代理人: 邹伟红
地址: 225009 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 纳米 片团簇 阵列 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种银纳米片团簇阵列的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

(1)制备单层PS球胶体薄膜;

(2)获取PS球模板/硅片,其步骤为:获取PS球模板/硅片的步骤如下:将载有单层PS球胶体薄膜的载玻片缓慢以45°浸入水中,将所述薄膜附着在硅片上,获得PS球模板/硅片;

(3)对PS球模板/硅片进行等离子刻蚀;

(4)热蒸发沉积铜;

(5)去除单层PS球模板,得到铜三角阵列;

(6)将铜三角阵列在硝酸银与柠檬酸的混合溶液中反应,即可获得所述的银纳米片团簇阵列。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,在载玻片上采用气-液-固相界面自组装方法制备单层PS球胶体薄膜。

3. 如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,在载玻片上采用气-液-固相界面自组装方法制备单层PS球胶体薄膜,其具体步骤如下:将PS球悬浮液和乙醇按体积比1:1超声均匀混合,取洁净载玻片,在载玻片上采用气-液-固相界面自组装方法制备单层PS球胶体薄膜,其中,PS球的直径为1 μm,PS球悬浮液浓度为2.5wt%。

4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,等离子刻蚀时间9min。

5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,等离子刻蚀时间为3min。

6. 如权利要求1所述的方法,其特征在于,采用热蒸发法沉积铜,沉积厚度为200 nm。

7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,通过在有机溶剂中浸泡去除PS球模板。

8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,铜三角阵列在硝酸银与柠檬酸的混合溶液中反应时间是30min。

9.如权利要求1所述的方法,其特征在于,混合溶液中,硝酸银浓度是1mM-100mM。

10.如权利要求1所述的方法,其特征在于,混合溶液中,硝酸银浓度是10mM。

11.如权利要求1所述的方法,其特征在于,混合溶液中,柠檬酸浓度是5mM-100 mM。

12.如权利要求1所述的方法,其特征在于,混合溶液中,柠檬酸浓度是50mM。

13.如权利要求1-12任一所述的方法制备的银纳米片团簇阵列。

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