[发明专利]一种局部增强型玻璃制品及其加工方法有效
| 申请号: | 202010233402.1 | 申请日: | 2020-03-29 |
| 公开(公告)号: | CN111253087B | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
| 发明(设计)人: | 胡伟;谈宝权;黄昊;陈芳华 | 申请(专利权)人: | 重庆鑫景特种玻璃有限公司 |
| 主分类号: | C03C21/00 | 分类号: | C03C21/00;C03B32/02 |
| 代理公司: | 重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 | 代理人: | 李媛;张先芸 |
| 地址: | 400714 重庆市北碚区*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 局部 增强 玻璃制品 及其 加工 方法 | ||
1.一种局部增强型玻璃制品,其特征在于,包括局部增强区和非增强区;其中,局部增强区的维氏硬度大于或等于620kgf/mm2,比非增强区高5~20%;
所述局部增强区中包含离子交换区和未离子交换区,离子交换区中的平均晶体含量未离子交换区中的平均晶体含量;所述局部增强区在可见光范围内光具有至少81%的透过率;所述非增强区的可见光范围内光具有90.5%~93.5%的透光率。
2.根据权利要求1所述局部增强型玻璃制品,其特征在于,所述局部增强区中平均晶体含量至少为10wt%。
3.根据权利要求2所述局部增强型玻璃制品,其特征在于,所述局部增强区中平均晶体含量为30~95wt%。
4.根据权利要求1所述局部增强型玻璃制品,其特征在于,所述局部增强区中晶体尺寸为20nm~200nm。
5.根据权利要求1所述局部增强型玻璃制品,其特征在于,所述局部增强区中晶体的主晶相为二硅酸锂,次晶相为硅酸锂。
6.根据权利要求5所述局部增强型玻璃制品,其特征在于,所述二硅酸锂占晶体质量的60 %以上。
7.根据权利要求1所述局部增强型玻璃制品,其特征在于,所述离子交换区是X离子与所述局部增强区中Li离子和/或Na离子进行交换形成;其中,所述X为Ag、Cu和镧系元素中的至少一种。
8.根据权利要求1~7任一项所述局部增强型玻璃制品,其特征在于,所述玻璃制品的厚度为0.2 mm~1.5 mm。
9.根据权利要求1~7任一项所述局部增强型玻璃制品,其特征在于,所述玻璃制品中的Li、Na或K的氧化物的mol%含量为5%~30%,Na2O小于或等于Al2O3和B2O3的总量。
10.一种玻璃盖板,其特征在于,采用权利要求9所述玻璃制品经化学强化处理而成。
11.一种如权利要求10所述玻璃盖板在用于手持电子设备、笔记本电脑、桌面电脑和电视机的部分保护覆盖玻璃方面的用途,或在形成显示器基材、触摸传感器或者整体式触摸覆盖玻璃的至少部分方面的用途。
12.一种局部增强型玻璃制品的加工方法,采用切割成型的前体玻璃,其特征在于,制备如权利要求1所述局部增强型玻璃制品,包括以下步骤:
S1:用离子交换绝缘材料掩蔽所述前体玻璃的非增强区的上下表面,然后将其浸入含有X离子的盐浴中,使盐浴中的X离子与前体玻璃未掩蔽的局部区域中的Li离子和/或Na离子进行交换;其中,所述X为Ag、Cu和镧系元素中的至少一种;
S2:X离子交换完成后,去除掉所述前体玻璃的离子交换绝缘材料,得到预处理后的玻璃,然后对预处理后的玻璃进行热处理,所述热处理包括核化处理和晶化处理。
13.根据权利要求12所述局部增强型玻璃制品的加工方法,其特征在于,步骤S1中所述盐浴为1 wt%~20 wt%XNO3+80 wt%~99 wt%NaNO3。
14.根据权利要求12所述局部增强型玻璃制品的加工方法,其特征在于,步骤S1中所述盐浴离子交换的温度为玻璃转变点以下80℃至玻璃转变点以上60℃,时间为1~10 h。
15.根据权利要求12所述局部增强型玻璃制品的加工方法,其特征在于,步骤S2中所述核化处理中,温度为DSC玻璃转变点以上30~100℃,核化处理1~4h。
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