[发明专利]一种切割晶粒后批量转移晶粒至蓝膜的方法

说明书

本发明公开一种切割晶粒后批量转移晶粒至蓝膜的方法，其中包括如下步骤：正面键合、切割研磨、背面粘胶、翻转固定、降低粘性、脱离晶粒、溶剂清洗。本发明采用镭射解键合，逐步降低粘合剂的粘性，使得玻璃载板更容易与晶粒脱离，大大降低晶粒崩裂率和成品率；在晶粒分离后使用溶剂或者化学清洗液进行清洗，彻底消除晶粒上残留的粘合剂，便于后续晶粒的加工使用。解决了现有技术中晶粒切割工序后，晶粒由具强黏著力的UV切割蓝膜上取下时，极容易发生崩裂的问题。

技术领域

本发明属于晶圆加工领域，具体涉及一种切割晶粒后批量转移晶粒至蓝膜的方法。

背景技术

随着半导体技术愈发普及，晶圆薄化的共同趋势，晶圆，超薄晶圆，一般厚度为20～250微米，用于半导体器件。目前工序是将晶圆与玻璃载板键合，利用玻璃载板进行晶圆薄化等背面工艺，解键合玻璃载板，置于晶粒切割UV膜框架，以Diamond Saw或以镭射电浆进行晶粒切割。

但是现有技术里，晶圆薄化到80微米以下后，将其通过上述工序加工再转运至后续异地的封装测试制程工厂，当要由具强黏著力的UV切割蓝膜上取下时，极容易发生崩裂。因此设计一种晶粒切割工序后，对晶圆进行分离时避免晶粒崩裂的方法是符合实际需要的。

针对上述提出的问题，现设计一种切割晶粒后批量转移晶粒至蓝膜的方法。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种切割晶粒后批量转移晶粒至蓝膜的方法，解决了现有技术中晶粒切割工序后，晶粒由具强黏著力的UV切割蓝膜上取下时，极容易发生崩裂的问题。

本发明的目的可以通过以下技术方案实现：

一种切割晶粒后批量转移晶粒至蓝膜的方法，包括以下步骤：

S1、正面键合：将涂布粘合剂的晶圆与涂布释放层的玻璃载板键合；

S2、切割研磨：对晶圆进行背面切割，背面研磨，完成晶粒切割；

S3、翻转固定：翻转晶粒，并将晶粒置于带有UV型蓝膜框架的膜框上；

S4、解键合：通过镭射或是热分解方式进行解键合，使得玻璃载板键合粘合剂粘性消失，进行解键合；

S5、脱离：玻璃载板与晶粒脱离；

S6、溶剂清洗：使用溶剂或者化学清洗液对晶粒进行清洗，将晶粒上残留的粘合剂去除干净；

S7、便于后续操作：已晶粒分割的硅圆置于UV型蓝膜框架上，可进行后续工艺，不再有晶粒破碎的问题。

所述正面键合温度为50～250℃。

所述切割研磨将晶粒的大小控制在60～80微米。

所述溶剂清洗控制溶剂或者化学清洗液的浓度在40～70％。

所述切割研磨后的晶粒之间不接触。

本发明的有益效果：

1、本发明采用镭射解键合，逐步降低粘合剂的粘性，使得玻璃载板更容易与晶粒脱离，大大降低晶粒崩裂率和成品率；

2、本发明在晶粒分离后使用溶剂或者化学清洗液进行清洗，彻底消除晶粒上残留的粘合剂，便于后续晶粒的加工使用。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例的正面键合结构示意图；

图2是本发明实施例的切割研磨结构示意图；