[发明专利]一种电子行业废水中双氧水去除工艺

说明书

本发明是电子行业废水中双氧水去除工艺，包括以下工艺步骤：废水经pH调节池调节pH为4～11，进入双氧水分解反应池，投加复合型双氧水去除剂，反应10～30min，将水中双氧水分解至1mg/L以下。本发明的优点：一、废水经调节池调节pH后，进入双氧水分解反应池，投加复合型双氧水去除剂，反应10～15min即可将水中双氧水快速分解至1mg/L以下。与常规投加亚硫酸氢钠和活性炭吸附工艺相比，具有加药量少、运行费用低、专一性强、反应速度快、无二次污染等优点。二、本发明制备的高效稳定的复合型双氧水去除剂与市面上其他双氧水去除剂相比，pH适用范围广，可针对不同进水水质特点调节pH，后续工艺处理方便。

技术领域

本发明涉及的是一种去除电子行业废水中双氧水的技术，属于水处理技术领域。

背景技术

电子行业的制程中，会搭配添加双氧水以清除晶片上残留的有机物，在生产过程中排出的如研磨废水、氨氮废水、含铜废水、含氟废水等都含有一定浓度的双氧水，若在废水处理与回收过程中没有先行去除，会造成设备材料的氧化损坏或处理效能降低等问题，如化混沉淀效果降低、离子交换树脂与RO膜破损。

目前常见处理方式有NaHSO₃还原、活性碳吸附等工艺。其中，采用NaHSO₃还原处理后存在出水导电度高、无专一性，易被其它氧化物消耗、加药量大，操作费用高、药剂不稳定容易衰退、会产生腐蚀性硫化氢气体等问题；活性碳吸附工艺初设费用高，出水含细微颗粒需滤除，同时存在活性易衰退、填料需定期更换耗费人工等缺点。

《半导体行业含氨-双氧水废水中双氧水的去除研究》中，采用锰砂塔对半导体行业含氨-双氧水废水进行双氧水去除的试验研究。试验结果表明：当控制pH在10～11左右，反应时间在3min以上时，双氧水的去除率可达到99％左右。但是该工艺对pH要求较高，且初设成本较高，锰砂塔活性易衰退，并未考虑到进水SS较高时对出水双氧水去除效果的影响。

中国专利CN101935947B《节能环保纺织品精练漂白用双氧水去除剂及其应用》，采用3～5％的氯化钴水溶液(pH为4～6)作为双氧水去除剂处理棉针织或纱线的精练漂白废水，可将水中双氧水去除至0.5mg/L以下。但是该专利所用双氧水去除剂为含氯化钴的水溶液，存在加药量大(0.1～0.5g/L)、运行费用高、pH要求高等问题，同时投加之后会造成钴的二次污染。

由上述内容可知，现有工艺中存在以下问题：NaHSO₃还原工艺存在出加药量大、出水导电度高、无专一性，易被其它氧化物消耗、药剂不稳定容易衰退、会产生腐蚀性硫化氢气体等问题；活性碳吸附工艺存在初设费用高、活性易衰退、填料需定期更换耗费人工等缺点。市面上现有双氧水去除剂虽然能够去除水中双氧水，但是普遍对进水pH要求较高，同时存在加药量较大、投加之后容易引起二次污染等问题。

发明内容

本发明提出的是一种电子行业废水中双氧水去除工艺，其目的旨在克服现有技术存在的上述缺陷，通过制备高效稳定的复合型双氧水去除剂，实现电子行业废水中双氧水的快速去除、节能降耗。

本发明的技术解决方案：一种电子行业废水中双氧水去除工艺，包括以下工艺步骤：废水经pH调节池调节pH为4～11后，进入双氧水分解反应池，投加复合型双氧水去除剂，反应10～30min，将水中双氧水分解至1mg/L以下。

优选的，所述复合型双氧水去除剂与双氧水比例为质量浓度比1:10～1:30。

优选的，所述复合型双氧水去除剂的制备方法，包括以下步骤：

第一步：在温度为40～50℃的条件下，配置质量分数1～2％的无机金属盐溶液；

第二步：加入1～2g/L的乙二胺四乙酸进行稳定，并缓慢搅拌；