[发明专利]存储器芯片中的升压转换器

权利要求书

1.一种包括片内升压转换器的非易失性存储器，包括：

第一存储器结构，所述第一存储器结构限定设置在第一基板上的控制电路，以及邻近所述控制电路设置的第一金属层，其中所述第一金属层耦接所述控制电路的元件；和

第二存储器结构，所述第二存储器结构限定设置在第二基板上的存储器阵列，以及邻近所述存储器阵列设置的第二金属层，其中所述第一金属层和所述第二金属层通过在所述第一金属层和所述第二金属层之间形成的永久性物理键合而键合在一起；和

升压转换器，所述升压转换器限定设置在所述第一金属层和所述第二金属层中的电感器，以及设置在所述控制电路中的晶体管电路。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中所述电感器还限定耦接到电压源的第一端子和通过晶体管电路耦接到负载的第二端子。

3.根据权利要求2所述的非易失性存储器，其中所述晶体管电路还限定：

升压节点，所述升压节点耦接到所述电感器的所述第二端子；

开关，所述开关限定耦接到时钟的栅极端子、耦接到所述升压节点的第一开关端子、以及耦接到接地部的第二开关端子；和

晶体管，所述晶体管限定耦接到所述升压节点的栅极端子、耦接到所述升压节点的第一晶体管端子、以及耦接到所述负载的第二晶体管端子。

4.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中：

所述电感器限定耦接到电压源的第一端子和通过限定在所述控制电路中的晶体管电路耦接到负载的第二端子，所述电感器和晶体管电路形成升压转换器；并且

所述升压转换器被配置为增加所述电压源的电压量。

5.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中：

所述第一存储器结构限定所述电感器的第一部分，其中所述电感器的所述第一部分限定一定数量的金属层，并且

所述第二存储器结构限定所述电感器的第二部分，其中所述电感器的所述第二部分限定第二数量的金属层，其中所述金属层的第二数量小于或等于所述金属层的一定数量。

6.根据权利要求5所述的非易失性存储器，其中所述电感器的所述第二部分与虚拟存储器单元对准。

7.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中所述电感器包括选自以下的至少一种：铝、铜、钴，或它们的一些组合。

8.一种用于制造包括片内升压转换器的三维存储器结构的方法，包括：

通过以下步骤，使用第一工艺在第一基板上制造第一存储器结构：

在所述第一基板上形成控制电路；

将第一金属层沉积在所述控制电路上，其中所述第一金属层耦接到所述控制电路；以及

在所述第一金属层中制造电感器的第一部分；

通过以下步骤，使用第二工艺在第二基板上制造第二存储器结构：

在所述第二基板上形成限定堆叠存储器单元的存储器阵列；

将第二金属层沉积在所述存储器阵列上；以及

在所述第二金属层中制造所述电感器的第二部分；以及

通过在所述第一金属层和所述第二金属层之间形成永久键合使得所述电感器的所述第一部分和所述第二部分对齐来将所述第一存储器结构与所述第二存储器结构键合。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述电感器还限定耦接到电压源的第一端子和通过限定在所述控制电路中的晶体管电路耦接到负载的第二端子。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述晶体管电路还限定：

升压节点，所述升压节点耦接到所述电感器的所述第二端子；

开关，所述开关限定耦接到时钟的栅极端子、耦接到所述升压节点的第一开关端子、以及耦接到接地部的第二开关端子；和

晶体管，所述晶体管限定耦接到所述升压节点的栅极端子、耦接到所述升压节点的第一晶体管端子、以及耦接到所述负载的第二晶体管端子。