[发明专利]一种双面显示面板及制作方法在审
| 申请号: | 202010226674.9 | 申请日: | 2020-03-27 |
| 公开(公告)号: | CN111370366A | 公开(公告)日: | 2020-07-03 |
| 发明(设计)人: | 陈宇怀;黄志杰;苏智昱 | 申请(专利权)人: | 福建华佳彩有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人: | 徐剑兵;张忠波 |
| 地址: | 351100 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 双面 显示 面板 制作方法 | ||
1.一种双面显示面板制作方法,其特征在于,包括如下步骤:
在基板上制作薄膜晶体管;
在薄膜晶体管上制作覆盖薄膜晶体管的绝缘层,在绝缘层上制作连通薄膜晶体管的通孔;
在绝缘层上制作第一反射层,第一反射层通过绝缘层上的通孔与薄膜晶体管连接;
沉积阳极材料,在绝缘层上形成透明的阳极,阳极覆盖第一反射层,阳极还有绝缘层面上的部分;
在阳极和绝缘层上制作像素定义层,在像素定义层上制作连通阳极的通孔;
在像素定义层上连通阳极的通孔中制作有机发光层;
沉积阴极材料,在像素定义层和有机发光层上形成覆盖有机发光层的阴极,阴极为透明;
在有机发光层区域的阴极上制作第二反射层,所述第二反射层位于第一反射层的一侧。
2.根据权利要求1所述的一种双面显示面板制作方法,其特征在于,在像素定义层上制作连通阳极的通孔时,还包括如下步骤:
在像素定义层上制作两个连通阳极的通孔,两个通孔之间不连通,一个通孔底部为第一反射层上的阳极,另一个通孔底部为绝缘层面上的阳极。
3.根据权利要求1所述的一种双面显示面板制作方法,其特征在于,在沉积阳极材料前,还包括如下步骤:
在第一反射层一侧的绝缘层上制作窗口,阳极覆盖绝缘层的窗口和第一反射层,第二反射层在窗口处。
4.根据权利要求1所述的一种双面显示面板制作方法,其特征在于,在有机发光层区域的阴极上制作第二反射层时,还包括如下步骤:
在盖板上制作第二反射层,然后将盖板具有第二反射层的一侧盖合在阴极上,使得第二反射层与阴极连接。
5.根据权利要求1所述的一种双面显示面板制作方法,其特征在于,所述绝缘层包括钝化层和平坦层,平坦层设置在钝化层上。
6.一种双面显示面板,其特征在于,包括:
在基板上设置有薄膜晶体管;
在薄膜晶体管上设置有覆盖薄膜晶体管的绝缘层,在绝缘层上设置有连通薄膜晶体管的通孔;
在绝缘层上设置有第一反射层,第一反射层通过绝缘层上的通孔与薄膜晶体管连接;
在绝缘层上设置有透明的阳极,阳极覆盖第一反射层,阳极还有绝缘层面上的部分;
在阳极和绝缘层上设置有像素定义层,在像素定义层上设置有连通阳极的通孔;
在像素定义层上连通阳极的通孔中设置有有机发光层;
在像素定义层和有机发光层上设置有覆盖有机发光层的阴极,阴极为透明;
在有机发光层区域的阴极上设置有第二反射层,所述第二反射层位于第一反射层的一侧。
7.根据权利要求6所述的一种双面显示面板,其特征在于,在像素定义层上连通阳极的通孔为两个,两个通孔之间不连通,一个通孔底部为第一反射层上的阳极,另一个通孔底部为绝缘层面上的阳极。
8.根据权利要求6所述的一种双面显示面板,其特征在于,在第一反射层一侧的绝缘层上设置窗口,阳极覆盖绝缘层的窗口和第一反射层,第二反射层在窗口处。
9.根据权利要求6所述的一种双面显示面板,其特征在于,还包括有盖板,所述第二反射层设置在盖板上,把盖板上具有第二反射层的一侧盖合在阴极上,使得第二反射层与阴极连接。
10.根据权利要求6所述的一种双面显示面板,其特征在于,所述绝缘层包括钝化层和平坦层,平坦层设置在钝化层上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建华佳彩有限公司,未经福建华佳彩有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010226674.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种碳纤维发热的地暖石材的制作方法
- 下一篇:一种高使用寿命的叉车轴承
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





