[发明专利]一种钽酸锂晶片异质键合的方法在审
| 申请号： | 202010225144.2 | 申请日： | 2020-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN111519255A | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 张学锋;肖学峰 | 申请（专利权）人： | 宁夏钜晶源晶体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/06 | 分类号： | C30B33/06;C30B29/30;C30B29/06;H03H3/007 |
| 代理公司： | 宁夏合天律师事务所 64103 | 代理人： | 周晓梅 |
| 地址： | 753000 宁夏回族自治区石嘴山市大*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 钽酸锂 晶片 异质键合 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种钽酸锂晶片异质键合的方法，其特征在于：
将单晶硅片与钽酸锂晶片相对设置，保持单晶硅片表面的薄膜层与钽酸锂晶片相对设置，放入键合机；
中温加热，并维持至少1h，完成一次键合，形成一次键合体；
将一次键合体放入退火炉，高温加热退火，完成二次键合；其中，单晶硅片表面的薄膜层与碳酸锂晶片层为异种材质。
2.如权利要求1所述的钽酸锂晶片异质键合的方法，其特征在于：单晶硅片表面的薄膜层为二氧化硅层。
3.如权利要求2所述的钽酸锂晶片异质键合的方法，其特征在于：中温加热的温度为80-150℃和/或高温加热的温度为200-240℃。
4.如权利要求1所述的钽酸锂晶片异质键合的方法，其特征在于：对基体的单晶硅片表面进行单面抛光，通过退火钝化，使表面形成二氧化硅层。
5.如权利要求4所述的钽酸锂晶片异质键合的方法，其特征在于：还将所述二氧化硅层放入氨水、双氧水混合溶液处理，使硅片表面处于亲水状态。
6.如权利要求1所述的钽酸锂晶片异质键合的方法，其特征在于：对钽酸锂表面进行抛光，形成光滑表面。
7.如权利要求1所述的钽酸锂晶片异质键合的方法，其特征在于：放入键合机之前，先对单晶硅片表面和钽酸锂表面使用氮气吹干。
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