[发明专利]一种硅片的物理清洗方法有效
| 申请号: | 202010223545.4 | 申请日: | 2020-03-26 |
| 公开(公告)号: | CN111330903B | 公开(公告)日: | 2021-08-17 |
| 发明(设计)人: | 张小飞 | 申请(专利权)人: | 常州高特新材料股份有限公司 |
| 主分类号: | B08B3/08 | 分类号: | B08B3/08;B08B3/12;C11D1/83;C11D3/06;C11D3/20;C11D3/22;C11D3/33;C11D11/00;C11D1/22;C11D1/72 |
| 代理公司: | 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) 32258 | 代理人: | 谢新萍 |
| 地址: | 213000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 硅片 物理 清洗 方法 | ||
1.一种采用50微米线径的金刚线切割后的硅片的物理清洗方法,其特征在于,所述清洗方法步骤如下:
(1)采用Zeta电位仪分析硅片基底所带的电荷;
(2)将硅片放入超声波清洗设备,加入清洗液,通过超声波震荡清洗硅片;
所述清洗液由清洗剂和水按照1:25-35的质量比配制而成;
所述清洗剂由表面活性剂、 醇、分散剂和络合剂组成;
所述清洗剂中,表面活性剂、 醇、分散剂和络合剂按照质量比其组成为:表面活性剂8-10份,醇8-10份,分散剂5-6份,络合剂5-8份;
所述表面活性剂为阴离子表面活性剂或阳离子表面活性剂和非离子表面活性剂按照1:1的质量比组成;
所述络合剂为乙二胺四乙酸二钠和葡糖酸钠盐按照1:1的质量比组成;
当硅片基底所带的电荷是正电荷时,选用阴离子表面活性剂和非离子表面活性剂作为表面活性剂;当硅片基底所带的电荷是负电荷时,选用阳离子表面活性剂和非离子表面活性剂作为表面活性剂。
2.如权利要求1所述的采用50微米线径的金刚线切割后的硅片的物理清洗方法,其特征在于,所述阴离子表面活性剂为:十二烷基苯磺酸、 脂肪醇酰硫酸钠、 乙氧基化脂肪酸甲酯磺酸钠、 仲烷基磺酸钠、 醇醚羧酸盐、 醇醚磷酸盐中的一种;阳离子表面活性剂为:十六烷基三甲基季铵溴化物、十八烷基二甲基苄基季铵氯化物中的一种;非离子表面活性剂为:脂肪醇聚氧乙烯醚、 烷基酚聚氧乙烯醚、 多元醇酯聚氧乙烯醚中的一种。
3.如权利要求1所述的采用50微米线径的金刚线切割后的硅片的物理清洗方法,其特征在于,所述醇为乙醇;所述分散剂为:聚丙烯酸钠、羧酸-磺酸盐共聚物、丙烯酸-丙烯酸酯-磺酸盐三元共聚物,六偏磷酸钠、羧甲基纤维素中的一种或几种。
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