[发明专利]一种UIR加载的三阶双通带基片集成波导滤波器

权利要求书

1.一种UIR加载的三阶双通带基片集成波导滤波器，其特征在于，包括两个基片集成波导谐振腔(1)、一个UIR谐振器(2)以及位于滤波器输入输出端口的共面波导馈电结构(3)，所述共面波导馈电结构(3)与基片集成波导谐振腔(1)连接，所述UIR谐振器(2)位于两个基片集成波导谐振腔(1)之间，且该双通带基片集成波导滤波器呈左右对称。

2.根据权利要求1所述的UIR加载的三阶双通带基片集成波导滤波器，其特征在于，所述基片集成波导谐振腔(1)为由金属化过孔(4)包围形成的矩形谐振腔，且所述矩形谐振腔的TE₁₀₁模和TE₂₀₁模分别形成两个通带，其中，相邻两个所述金属化过孔(4)之间的大小与间距均保持一致。

3.根据权利要求2所述的UIR加载的三阶双通带基片集成波导滤波器，其特征在于，所述UIR谐振器(2)由两个电长度不同的终端开口的圆环构成，其中，上圆环的谐振频率与TE₁₀₁模的频率一致，下圆环的谐振频率与TE₂₀₁模的频率一致。

4.根据权利要求3所述的UIR加载的三阶双通带基片集成波导滤波器，其特征在于，所述共面波导馈电结构(3)包括导线，所述导线两侧为矩形开槽。

5.根据权利要求4所述的UIR加载的三阶双通带基片集成波导滤波器，其特征在于，所述UIR谐振器(2)的输入导纳的表达式如下：

Y_in1＝-jY₁ cotθ₁

Y_in2＝-jY₂ cotθ₂

其中，Y_in1为UIR谐振器上圆环的输入导纳，Y_in2为UIR谐振器下圆环的输入导纳，j为虚数，Y₁为UIR谐振器上圆环的特性导纳，Y₂为UIR谐振器下圆环的特性导纳，θ₁为UIR谐振器上圆环的电长度，θ₂为UIR谐振器下圆环的电长度。

6.根据权利要求5所述的UIR加载的三阶双通带基片集成波导滤波器，其特征在于，所述TE₁₀₁模和TE₂₀₁模的谐振频率与基片集成波导谐振腔(1)的尺寸关系表示如下：

其中，为TE₁₀₁模式的谐振频率与基片集成波导谐振腔的尺寸关系，为TE₂₀₁模式的谐振频率与基片集成波导谐振腔的尺寸关系，c为真空的光速，ε_r为介质基板的相对介电常数，μ_r为介质基板的相对磁导率，l为基片集成波导谐振腔的长度，w为基片集成波导谐振腔的宽度。

7.根据权利要求6所述的UIR加载的三阶双通带基片集成波导滤波器，其特征在于，所述三阶双通带基片集成波导滤波器包括以下结构参数：

所述基片集成波导谐振腔(1)的长度l为30mm；

所述基片集成波导谐振腔(1)的宽度w为13.25mm；

所述共面波导馈电结构(3)偏离滤波器中心的距离d_x1为7.5mm；

所述UIR谐振器(2)偏离滤波器中心的距离d_x2为10.1mm；

所述共面波导馈电结构(3)的长度d_w为5mm；

所述共面波导馈电结构(3)的宽度w_m为1.57mm；

所述共面波导馈电结构(3)伸入基片集成波导谐振腔(1)的长度l_s为3mm；

所述共面波导馈电结构(3)的伸入基片集成波导谐振腔(1)的宽度w_s为2.6mm；

所述金属化过孔(4)的直径d为0.6mm；

所述上圆环的开槽半径R_1a为1.67mm；

所述上圆环的内径R_1b为0.97mm；

所述上圆环开口的角度θ₁为30deg；

所述下圆环的开槽半径R_2a为1.48mm；

所述下圆环的内径R_2b为0.78mm；

所述下圆环开口的角度θ₂为30deg；

所述两个圆环的间距g为0.6mm；

所述两个圆环的宽度w_R均为0.2mm；

相邻两个所述金属化过孔(4)的间距为p1mm。