[发明专利]带多层反射膜的基板、反射型掩模坯料及反射型掩模、以及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种带多层反射膜的基板，其具备用于反射曝光光的多层反射膜，所述多层反射膜形成在基板上，包含交替层叠低折射率层和高折射率层而成的多层膜，其中，

所述多层反射膜含有钼(Mo)、和选自氮(N)、硼(B)、碳(C)、锆(Zr)、氧(O)、氢(H)及氘(D)中的至少1种添加元素，

由基于X射线衍射得到的Mo(110)的衍射峰计算出的所述多层反射膜的雏晶尺寸为2.5nm以下。

2.根据权利要求1所述的带多层反射膜的基板，其中，

所述多层反射膜含有钼(Mo)、和选自氮(N)、硼(B)、碳(C)、锆(Zr)、氧(O)及氢(H)中的至少1种添加元素，

由基于X射线衍射得到的Mo(110)的衍射峰计算出的所述多层反射膜的雏晶尺寸为2.5nm以下。

3.根据权利要求1所述的带多层反射膜的基板，其中，

所述雏晶的尺寸大于1.1nm。

4.根据权利要求1所述的带多层反射膜的基板，其中，

所述高折射率层含有硅(Si)。

5.根据权利要求1所述的带多层反射膜的基板，其中，

在所述低折射率层及高折射率层之间形成有扩散层，所述扩散层的厚度为1.7nm以下。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的带多层反射膜的基板，其中，

在所述多层反射膜上具有保护膜。

7.一种反射型掩模坯料，其具备用于反射曝光光的多层反射膜、和形成于该多层反射膜上或该多层反射膜上的保护膜上的吸收体膜，所述多层反射膜形成在基板上，包含交替层叠低折射率层和高折射率层而成的多层膜，

所述多层反射膜含有钼(Mo)、和选自氮(N)、硼(B)、碳(C)、锆(Zr)、氧(O)、氢(H)及氘(D)中的至少1种添加元素，

由基于X射线衍射得到的Mo(110)的衍射峰计算出的所述多层反射膜的雏晶尺寸为2.5nm以下。

8.根据权利要求7所述的反射型掩模坯料，其中，

所述多层反射膜含有钼(Mo)、和选自氮(N)、硼(B)、碳(C)、锆(Zr)、氧(O)及氢(H)中的至少1种添加元素，

由基于X射线衍射得到的Mo(110)的衍射峰计算出的所述多层反射膜的雏晶尺寸为2.5nm以下。

9.根据权利要求7所述的反射型掩模坯料，其中，

所述雏晶的尺寸大于1.1nm。

10.根据权利要求7所述的反射型掩模坯料，其中，

所述高折射率层含有硅(Si)。

11.根据权利要求7所述的反射型掩模坯料，其中，

在所述低折射率层及高折射率层之间形成有扩散层，所述扩散层的厚度为1.7nm以下。

12.一种反射型掩模，其具备用于反射曝光光的多层反射膜、和形成于该多层反射膜上或该多层反射膜上的保护膜上的吸收体图案，所述多层反射膜形成在基板上，包含交替层叠低折射率层和高折射率层而成的多层膜，

所述多层反射膜含有钼(Mo)、和选自氮(N)、硼(B)、碳(C)、锆(Zr)、氧(O)、氢(H)及氘(D)中的至少1种添加元素，

由基于X射线衍射得到的Mo(110)的衍射峰计算出的所述多层反射膜的雏晶尺寸为2.5nm以下。

13.根据权利要求12所述的反射型掩模，其中，

所述多层反射膜含有钼(Mo)、和选自氮(N)、硼(B)、碳(C)、锆(Zr)、氧(O)及氢(H)中的至少1种添加元素，

由基于X射线衍射得到的Mo(110)的衍射峰计算出的所述多层反射膜的雏晶尺寸为2.5nm以下。