[发明专利]纳米结构阵列及其制备方法和含其的色散仪

权利要求书

1.一种用于色散仪的纳米结构阵列，包括：

衬底，起支撑作用；

设置在衬底上的若干纳米结构，若干纳米结构形成阵列，用于接收入射光并根据入射光频率不同将复色光分解成单色光；以及

金属掩膜层，其覆盖在所述圆柱纳米结构的顶部，用于提高反射率。

2.根据权利要求1所述的纳米结构阵列，其特征在于，

所述纳米结构的形状包括圆柱形、立方体型、十字型中的任一种。

3.根据权利要求1所述的纳米结构阵列，其特征在于，

所述纳米结构阵列呈周期排列，相邻的所述纳米结构在x和y方向的排列周期p均介于200纳米至440纳米之间。

4.根据权利要求1所述的纳米结构阵列，其特征在于，

所述纳米结构的高度介于240纳米至520纳米之间。

5.根据权利要求2所述的纳米结构阵列，其特征在于，

所述纳米结构的直径介于100纳米至220纳米之间，且直径与周期的比值在0.45到0.6之间。

6.根据权利要求1所述的纳米结构阵列，其特征在于，

所述金属掩膜层的厚度在30纳米到50纳米之间。

7.根据权利要求1所述的纳米结构阵列，其特征在于，

所述衬底采用的材料包括石英、二氧化硅或硅。

8.根据权利要求1所述的纳米结构阵列，其特征在于，

所述纳米结构阵列采用的材料包括二氧化钛、氧化铝或硅；

所述金属掩膜层采用的材料包括铝或铬。

9.一种纳米结构阵列的制备方法，制备如权利要求1至8任一项所述的纳米结构阵列，包括：

在衬底上制备纳米结构层，图案化光刻后形成阵列结构；

在阵列结构上沉积金属掩膜层后剥离图形区域外的金属掩膜铝；

以铝为掩膜刻蚀纳米结构层，形成所述纳米结构阵列。

10.一种色散仪，包括光源、光探测器、分束器、摄像机、光谱仪以及显示器，其特征在于，还包括如权利1至8任一项所述的纳米结构阵列或如权利要求9所述制备方法得到的纳米结构阵列；

其中，所述光源设置在该色散仪的上方。